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IXYS IXFH 60N20F IXFT 60N20F 数据手册

该文件介绍了IXYS的HiPerRFTM功率MOSFET，具有RF能力、低门级电阻、低包装电感、高电压和电流承受能力等特点。适用于DC-DC转换器、开关电源、脉冲发生器和RF放大器等应用。

IXYS IXFK 32N60 IXFN 32N60 IXFK 36N60 IXFN 36N60 数据手册

该文件介绍了IXYS Corporation的产品特点和特性，包括国际标准封装、低RDS(on)、耐压性能等。

IXYS IXFK 26N60Q/IXFX 26N60Q 数据手册

该文件是关于IXFK 26N60Q IX 型号的N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated, High dv/dt, Low Qg Power MOSFETs的产品手册。主要特点包括低门控电荷、国际标准包装、环氧树脂满足UL 94 V-0、防火分类、低RDS（on）HDMOSTM工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、雪崩能量和电流额定、快速本征整流器等。

Peregrine Semiconductor PE42672 DIE 数据手册

PE42672 是基于 UltraCMOS 工艺技术开发的 HaRP 增强型 SP7T RF 开关。它针对四波段 GSM 手机天线开关模块市场中的特定设计需求，可用于 GSM/EDGE/PCS/DCS/WCDMA 手机。该开关由三个 TX 端口和四个 RX 端口组成。TX1 设计用于 WCDMA，TX2 和 TX3 设计用于 GSM/ EDGE。四个对称的 RX 端口可用于 GSM/EDGE/PCS RX。片上 CMOS 解码器逻辑可实现三引脚低电压 CMOS 控制，而所有端口的高 ESD 容忍度 (1500 V)、无阻塞电容要求以及片上 SAW 滤波器过电压保护器件使其成为集成和坚固性的极致。Peregrine 的 HaRP 技术增强功能可提供高线性度和卓越的谐波性能。这是 UltraCMOS 工艺的创新功能，可提供优于 GaAs 的性能，同时具有传统 CMOS 的经济性和集成性。

Peregrine Semiconductor PE42671 DIE 数据手册

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Peregrine Semiconductor PE42660 DIE 数据手册

这是一款由佩里格林半导体公司生产的SP6T RF开关，它支持2.75V电压，可在100-3000MHz频率范围内工作。该开关采用了HaRP™技术，可提供高线性度和出色的谐波性能。

Prolific PT-3016x 数据手册

PT-3016x系列是Prolific Technology Inc.生产的一款直流无刷电机驱动芯片，具有频率输出功能，适用于单线圈直流无刷电机。该芯片具有防堵转保护功能，内置过冲保护电路，输出频率可达6.5V，功耗低，驱动效率高，启动电压低。

HARRIS IRF244, IRF245, IRF246, IRF247 数据手册

IRF244, IRF245, IRF246, IRF247 是 N-Channel enhancement mode silicon gate power ﬁeld effect transistors, 特点包括 14A and 13A, 275V and 250V, rDS(ON) = 0.28Ω and 0.34Ω, Single Pulse Avalanche Energy Rated, SOA is Power Dissipation Limited, Nanosecond Switching Speeds, Linear Transfer Characteristics, High Input Impedance, 275V, 250V DC Rated - 120V AC Line System Operation