IXYS IXFE 44N60 数据手册 该产品是一款N沟道增强型击穿额定高dv/dt低trr的单芯片MOSFET，具有低RDS（on）、HDMOSTM工艺、坚固的聚硅栅极单元结构、非钳位感应开关（UIS）额定、低封装电感和快速固有整流器等特点。
IXYS IXFH 16N90Q, IXFK 16N90Q, IXFT 16N90Q 数据手册 该文档主要介绍了 IXYS 公司的 Q-Class N 沟道增强型雪崩额定低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET 产品的特点特性，包括最大额定值、特征值、封装形式、安装尺寸、典型应用电路等。
IXYS IXFH 26N60/IXFT 26N60/IXFK 28N60 数据手册 IXFH/IXFT IXFK是IXYS公司的N沟道增强型高dv/dt、低trr的600V功率MOSFET，其最大电压为600V，最大电流为26A/28A，开关速度快（trr为250ns），可用于电机驱动、开关电源等应用。
IXYS IXFH/IXFT 24N50Q, IXFH/IXFT 26N50Q 数据手册 IXFH/IXFT 24N50Q 和 26N50Q 是 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型 Avalanche 额定、低 Qg、高 dv/dt 功率 MOSFET。
IXYS IXFH 26N50P, IXFV 26N50P, IXFV 26N50PS 数据手册 26N50P是IXYS公司生产的一款N沟道MOSFET，其最大导通电流为26A，最小导通电阻为230mΩ，最大电压为500V。
IXYS IXFH 76 N06-11/N06-12/N07-11/N07-12 数据手册 该文件介绍了IXYS公司生产的HiPerFETTM功率MOSFET产品的特点和特性，包括最大额定值、符号测试条件、最大电气性能参数等。
IXYS IXFH/IXFM 67 N10, IXFH/IXFM 75 N10 数据手册 HiPerFETTM 功率 MOSFET 是 N 沟道增强型，具有高 dv/dt、低 trr 和 HDMOSTM 家族。
IXYS IXFH/IXFT 68N20 IXFH/IXFT74N20 数据手册 本白皮书旨在帮助企业了解云原生技术带来的价值，并帮助企业实现从传统 IT 到云原生 IT 的转型。本白皮书从云原生技术的定义、特征、优势、应用场景和技术体系等方面进行了介绍，并对云原生技术的未来发展趋势进行了展望。
IXYS IXFH 66N20Q IXFT 66N20Q 数据手册 该文档介绍了IXYS公司的HiPerFETTM功率MOSFET系列产品的特点和特性，包括先进的低Qg工艺、国际标准封装、低栅极电荷和电容、低RDS(on)、抗击穿能力强等优点。
