sony VAIO Digital Studio Computer PCV-RX550/PCV-RX560/PCV-RX570 User Guide 本手册介绍了VAIO电脑的应用程序、软件供应商信息以及产品规格
TEXAS INSTRUMENTS SN54ALS652, SN54ALS653, SN54AS651, SN54AS652, SN74ALS651A, SN74ALS652A, SN74ALS653, SN74ALS654, SN74AS651, SN74AS652 数据手册 该文档介绍了SN54ALS652、SN54ALS653、SN54AS651、SN54AS652、SN74ALS651A、SN74ALS652A、SN74ALS653、SN74ALS654、SN74AS651和SN74AS652等多个型号的八路总线收发器和寄存器。这些器件具有独立的寄存器和使能信号，可以实现实时数据和存储数据的多路复用传输。用户可以选择真值路径或反相路径，以及三态输出或开漏输出。该文档还介绍了不同的封装选项。
hp jornada 560 series personal digital assistant User’s Guide 这是hp jornada 560 series personal digital assistant的用户手册
HITACHI (128 x 128-dot Graphics LCD Controller/Driver with Four-grayscale Functions) HD66750/1 说明书 HD66750/1 是一个 128 x 128 点的图形 LCD 控制器和驱动器 LSI，它显示四种单色灰度的 128 乘 128 点图形。
HITACHI 2SK1155, 2SK1156 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1155, 2SK1156 是双极型MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1159, 2SK1160 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1159, 2SK1160是日本三菱电机生产的一款高压开关管，它具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源、DC-DC转换器和电机驱动等场合。
HITACHI 2SK1161, 2SK1162 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1161, 2SK1162是N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1163, 2SK1164 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1163, 2SK1164是东芝生产的一种高压大电流N沟道MOSFET器件，适用于开关电源和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1165, 2SK1166 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK1165, 2SK1166是东芝公司生产的一款高压大电流N沟道MOSFET，适用于开关电源和DC-DC转换器，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点。
HITACHI 2SK1167, 2SK1168 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 该文件介绍了2SK1167和2SK1168硅N沟道MOS FET的应用，其特点包括低导通电阻、高速开关、低驱动电流、无二次击穿，并适用于开关稳压器和DC-DC转换器。
HITACHI 2SK1169, 2SK1170 Silicon N-Channel MOS FET 数据手册 2SK1169, 2SK1170是两款高压功率开关型N沟道MOSFET，具有低导通电阻、高开关速度、低驱动电流、无二次击穿等特点，适用于开关电源和DC-DC转换器。
XICOR Single Supply / Low Power / 256-tap / 2-Wire bus X9269 Dual Digitally-Controlled (XDCP TM ) Potentiometers X9269是美国xicor公司推出的一款数字可控电位器产品，该产品具有双通道，256个电阻点，0.4%分辨率，2线串行接口，低功耗等特点。
PHILIPS PESDxS2UQ series Double ESD protection diodes in SOT663 package 数据手册 PESDxS2UQ系列双重ESD保护二极管，SOT663封装。特点包括单向ESD保护，最大峰值脉冲功率Ppp = 150 W，低钳位电压V(CL)R = 20 V，低反向漏电流IRM < 1 nA，ESD保护> 30 kV，符合IEC 61000-4-2、4级（ESD）和IEC 61000-4-5（浪涌）标准。应用于计算机和外围设备、通信系统、音频和视频设备、高速数据线和并行端口。
Philips Semiconductors PHP80N06LT, PHB80N06LT 数据手册 该文档介绍了飞利浦半导体的TrenchMOS晶体管PHP80N06LT和PHB80N06LT的特点和特性，包括低开态电阻、快速开关、稳定的关态特性和高热循环性能。
