VICOR 375Vin / 2Vout / 160Watts DC-DC Converter Module 数据手册 本文件介绍了Vicor Corp.的V375A2C160A DC-DC转换器的特点和特性，包括输入电压范围、输出电压、可编程输出、调节性能、效率、最大工作温度等。该转换器适用于分布式电源、使用功率PFC前端的离线系统和电动车等应用。
omnlrel OM55N10SC OM55N10SA OM75N05SC OM75N06SC OM75N06SA OM60N10SC OM75N05SA 50V, 60V, And 100V Ultra Low RDS(on) Power MOSFETs In TO-254 And TO-258 Isolated Packages 这份文件介绍了一系列具有超低RDS(on)功率MOSFET的产品。这些产品采用隔离封装，适用于低电压应用，如电池供电的电源、电机控制、直流至直流转换器和同步整流。它们具有超低的导通损耗和低的门电荷，可以实现更小的散热和简化的驱动电路。
FAIRCHILD ORANGE MAN6600 SERIES Data Sheet MAN6600是由FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION生产的产品，该产品是0.560英寸七段显示器，不适合用作生命支持设备或系统的关键组件，使用时请务必阅读产品说明书
VISHAY New Product Vishay Siliconix Document Number: 71167 S-02464—Rev. A, 25-Oct-00 www.vishay.com 1 P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET Si1013R/X 是Vishay Siliconix公司生产的一款P-Channel 1.8-V (G-S) MOSFET，具有高侧开关、低导通电阻、低阈值、快速开关速度、1.8-V操作、栅极源极ESD保护、易于驱动开关、低偏移（误差）电压等特点，适用于继电器、电磁阀、灯泡、锤子、显示器、存储器、电池供电系统、电源转换电路、负载/电源开关、手机、传呼机等设备。
MOSEL VITELIC V62C3802048L(L) Ultra Low Power 256K x 8 CMOS SRAM 该文件介绍了V62C3802048L(L)超低功耗256K x 8 CMOS SRAM的特点，包括低功耗、单电源供电、易于扩展等。
panasonic 2SK0065 (2SK65) Silicon N-Channel Junction FET 说明书 2SK0065 (2SK65) 是三洋电机生产的一款低噪声硅N沟道结型场效应晶体管，用于低频阻抗转换和电容麦克风。
MAXIM MAX4754/MAX4755/MAX4756 说明书 MAX4754/MAX4755/MAX4756是低导通电阻模拟开关，可用于切换音频或数据信号。它们采用+1.8V至+5.5V单电源供电，具有低RON（0.5Ω）音频开关，可处理满摆幅信号。
panasonic 2SK601 Silicon N-Channel MOS FET 说明书 该文件介绍了2SK601硅N沟道MOS FET的特点和特性，包括低导通电阻、高速开关和可直接由CMOS和TTL驱动等。该产品适用于开关应用，具有小型封装和自动插入功能。
panasonic 2SK0614 (2SK614) Silicon N-Channel MOS FET 说明书 2SK0614是低压小功率N沟道MOSFET，具有低RDS(on)、高开关速度和可以直接由CMOS和TTL驱动的特点。
松下 2SK0664 (2SK664) 数据手册 2SK0664 (2SK664) 是一款高性能硅N沟道MOS晶体管，用于开关电路。该晶体管具有高开关速度和S-mini型封装，可实现电路小型化和自动插入。
松下 2SK0665 (2SK665) 数据手册 2SK0665(2SK665) 是日本富士通公司生产的一款高性能小信号N沟道MOSFET，具有高开关速度、高输入阻抗和高静电击穿电压等特点。本数据手册详细介绍了该器件的特性参数，供设计人员参考。
GENERAL SEMICONDUCTOR P6KA6.8 THRU P6KA43A Data Sheet P6KA6.8 THRU P6KA43A 汽车瞬态电压抑制器，额定击穿电压为6.8至43伏特，最大脉冲功率为600瓦特。该产品具有耐高温、快速响应、低阻抗等特点，适用于汽车的各种应用场景。
Diotec P6 SMBJ 6.5 ... P6 SMBJ 170CA P6 SMBJ 6.5.170CA 表面安装单向和双向瞬态电压抑制二极管具有 600 W 的脉冲功率耗散和 6.5.170 V 的最大阻挡电压。
