TEXAS INSTRUMENTS UCD8220, UCD8620 说明书 UCD8220和UCD8620是UCD8K系列模拟脉宽调制器器件，用于使用微控制器或TMS320™DSP系列进行数字管理的电源供应。UCD8220和UCD8620是配置有推挽驱动逻辑的双端PWM控制器。UCD8620具有110伏高压启动电路，可直接从48伏电信输入线启动控制器。使用UCD8K器件的系统接近100%的开关频率调节范围（即，10kHz至2MHz）和1µA至2A的输出电流，可实现高效率和高性能。
Allegro 3059AND 3060 Data Sheet 该文件描述了UGN/UGS3059KA和UGN/UGS3060KA ac-coupled Hall-effect gear-tooth sensors的特点特性，这两款产品是用于非零速度、齿轮齿基准速度、位置和计时应用的集成电路，如防抱死制动系统、变速箱和曲轴。
NEC µPD168110 Data sheet µPD168110是一种单片2通道H桥驱动器，由CMOS控制器和MOS输出级组成。它可以通过采用MOS工艺来减少电流消耗和输出级的电压损失，与使用双极晶体管的传统驱动器相比。该产品在输出级的高侧采用了P通道MOSFET，消除了电荷泵。因此，在操作过程中可以大大减少电路的电流消耗。该产品非常适用于驱动数码相机的电机，因为它可以在两相励磁驱动和微步驱动之间切换，使用步进电机。
UTRON UT62L1024 Rev. 1.7 128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM UTRON UT62L1024 是一款 128K X 8 位低功耗 CMOS SRAM，采用高性能、高可靠性 CMOS 技术制造。
AEROFLEX UT80CRH196KD Microcontroller Datasheet 本文介绍了一款20MHz 16位微控制器，兼容行业标准的MCS-96指令集。它具有寄存器到寄存器的体系结构，1000字节的寄存器RAM，三个8位I/O端口，集成中断控制器，三个脉宽调制输出，高速I/O，UART串行端口，专用波特率生成器，软件和硬件定时器等特点。此外，该微控制器还具有辐射硬化的工艺和设计，可以抵抗辐射和电荷粒子的影响，具备外部内存访问的错误检测和修正功能，符合QML Q和QML V标准。
Xicor X24164 Data Sheet X24164是一种CMOS 16,384位串行E2PROM，内部组织为2048 x 8。X24164具有串行接口和软件协议，可在简单的双线总线上操作。三个设备选择输入（S0-S2）允许最多八个设备共享一个公共的双线总线。Xicor E2PROM设计和测试用于需要扩展耐久性的应用。固有的数据保留时间超过100年。
UTC ZD2.4 THRU ZD36 说明书 ZD2.4 THRU ZD36 ZENER DIODES是Unisonic Technologies Co., Ltd公司生产的一种二极管，具有高密度安装、高需求电压范围和高效非线缆连接等特点。
DYNEX DCR760N85 Data Sheet 该文档介绍了Dynex Semi公司的DCR760N系列双面冷却相控晶闸管的特点和应用领域。该产品具有双面冷却和高浪涌能力，适用于中压软启动、高压电源和静态开关等应用。
RECOM OWERLINE - DC/DC-Converter E-Series, 30 Watt, 1.6 kV Isolation & Wide Input Range (Single Output) 该产品是来自recom公司的30瓦的E系列DC/DC转换器，支持1.6千伏的隔离和宽范围输入（单输出），特点是输入范围为24V和48V，输出电压可选1.8V、2.5V、3.3V、5V、12V和15V，最大电容负载分别为6500μF、19500μF、10200μF、10200μF、3300μF和1100μF。
ST M24128-BW, M24128-BR M24256-BW, M24256-BR 256Kbit and 128Kbit Serial I²C Bus EEPROM With Three Chip Enable Lines 数据手册 本文件为M24128-BW, M24128-BR M24256-BW, M24256-BR 256Kbit和128Kbit串行I2C总线EEPROM的功能特性介绍
TEXAS INSTRUMENTS TM2SN64EPH 2097152 BY 64-BIT TM4SN64EPH 4194304 BY 64-BIT SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM MODULES 数据手册 TM2SN64EPH和TM4SN64EPH是两款同步动态随机存储器（SDRAM）模块，可用于66MHz 4-Clock系统。它们采用单3.3V电源，支持读取延迟2和3。两款模块均支持字节读/写功能，并具有高性能范围、高速度、低噪音、低电压TTL（LVTTL）接口、支持突发间隔和突发中断操作、突发长度可编程到1、2、4和8、具有两行用于片上交错（无间隔访问）、环境温度范围为0°C到70°C、镀金接触、管道架构和使用EEPROM的串行存在检测（SPD）。
ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1 Series 数据手册 这是一款可用于ESD保护的24和40瓦峰值功率的齐纳瞬态电压抑制器，采用SOT-23双共阳极齐纳设计，可使用单一封装保护两条独立线路
infineon HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM 本文档是关于HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM产品的数据手册。
SIEMENS 4M x 4-Bit Dynamic RAM Advanced Information HYB5116400BJ -50/-60/-70 HYB5116400BT -50/-60/-70 HYB 5116400BJ/BT 4M x 4-DRAM是一款16MBit动态随机存储器，组织为4194304字节，由4位组成。HYB 5116400BJ/BT采用亚微米CMOS硅栅极工艺技术，以及先进的电路技术，提供内部和系统用户广泛的操作余量。多路复用地址输入允许HYB 5116400BJ/BT采用标准SOJ 26/24或TSOPII-26/24塑料封装，两者均具有300 mil宽度。这些封装提供高系统互连性、高可靠性和成本效益。
intel 80C186XL/80C188XL 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS 80C186XL/80C188XL 16位高集成度嵌入式处理器，低功耗、完全静态版本的80C186/80C188
infineon HYS64D32020[H/G]DL–5–C HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules SO-DIMM DDR SDRAM 该文档介绍了HYS64D32020[H/G]DL–5–C和HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C型号的200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Module SO-DIMM DDR SDRAM的特点和特性。
