lnfineon SPP16N50C3, SPB16N50C3 SPI16N50C3, SPA16N50C3 数据手册(1)(1) 鼎好提供现货库存、技术资料、百科信息、热点资讯。该文档介绍了SPP16N50C3, SPB16N50C3, SPI16N50C3, SPA16N50C3 Cool MOS™ Power Transistor的特点和特性，包括新的高压技术、超低门电荷、周期性雪崩性能、极端dv/dt性能、超低有效电容、改进的跨导等。
SSDI SPA516-2F 10 AMPS 150 nsec FAST RECOVERY DUAL SINGLE PHASE BRIDGE ASSEMBLY 说明书(1)(1) 该文件介绍了鼎好公司的SPA516系列快速恢复双单相桥组件的特点和特性，包括超快恢复速度、2000V封锁电压、5000V介电电压、平均输出电流为10安培等。
danfoss Heavy duty pressure controls MBC 5000 and MBC 5100 该文件介绍了MBC 5000和MBC 5100两款重型压力控制器的特点和特性。它们设计用于恶劣的工业环境，具有高抗振性和高重复性。这些产品适用于机械建筑、电机、齿轮、推进器、泵、过滤器和压缩机等多种应用。
SIEMENS PROFET Preliminary Data Sheet BTS550P 说明书 本文件是关于PROTEF® Preliminary Data Sheet BTS550P的数据手册，该产品具有过载保护、过流保护、短路保护、过温保护、过压保护、负电压钳位、快速断开感性负载等特性，适用于12V和24V直流接地负载，可替代电气机械继电器、保险丝和离散电路。
infineon PROFET Data Sheet BTS550P 说明书 本数据手册为BTS550P产品的数据手册，主要介绍产品的特点特性，如反向电池保护、过载保护、电流限制、短路保护、过温保护、过电压保护、输出负电压钳位、快速脱磁、低电阻反向电流操作、诊断反馈与负载电流检测、开路负载检测、Vbb掉电保护、静电放电保护等。
INFINEON - IPW50R250CP CoolMOSTM Power Transistor Features 说明书 IPW50R250CP CoolMOSTM Power Transistor 是一款功率开关器件，具有最低的 RON x Qg 和极低的栅极电荷，能承受极高的dv / dt ，具有高峰值电流能力，符合 RoHS 标准，并通过了 JEDEC1) 认证，可应用于各种开关电源电路
INFINEON IPA50R250CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPA50R250CP CoolMOSTM功率晶体管具有最低的特性R ON x Qg、超低的栅极电荷、极限dv/dt评级、高峰值电流能力等特点。
INFINEON IPW50R299CP CoolMOS Power Transistor 说明书 IPW50R299CP是一种CoolMOSTM功率晶体管，具有最低的特征值RON x Qg，超低的栅极电荷，极高的dv/dt额定值，高峰值电流能力。它适用于硬开关和软开关的开关电源拓扑结构，以及CCM PFC和PWM应用领域。
INFINEON IPI50R350CP CoolMOS ower Transistor 说明书 IPI50R350CP CoolMOSTM Power Transistor是一款新型功率器件，具有最低的RON x Qg、超低栅极电荷、极端dv/dt额定值、高峰值电流能力、无铅引线镀层和RoHS兼容性等特点。
七彩虹 i-AE50 V14/i-AE40 V14 主板 使用手册 该文件介绍了i-AE50 V14和i-AE40 V14这两款产品的硬件安装、驱动程序安装说明和BIOS设置等内容。同时，也提供了产品的污染控制标识和有毒有害物质或元素标识说明。
INFINEON SPP08N50C3/SPI08N50C3/SPA08N50C3 说明书 SPP08N50C3, SPI08N50C3 SPA08N50C3 Cool MOS™ 功率晶体管，具有 560 V 的 VDS@Tjmax、0.6 欧姆的 RDS(on) 和 7.6 A 的 ID。其特点包括：新的革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定值、极端 dv/dt 额定值、超低有效电容和改进的传导率。
INFINEON SPI16N50C3, SPA16N50C3 说明书 该文档介绍了SPP16N50C3、SPI16N50C3和SPA16N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性击穿额定、极端dv/dt额定、超低有效电容、改进的传导电导和不同封装类型等。
INFINEON IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G 数据手册 IPB50CN10N G IPD49CN10N G IPI50CN10N G IPP50CN10N G OptiMOS®2 功率晶体管具有以下特点：N 通道，正常电平；优异的门电荷 x R DS（on）乘积（FOM）；非常低的导通电阻 R DS（on）；175 °C 工作温度；无铅铅镀层；符合 RoHS 标准；根据 JEDEC1）目标应用认证；适用于高频开关和同步整流。
