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更新: 29 September, 2023
该文档介绍了SPP16N50C3、SPI16N50C3和SPA16N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性击穿额定、极端dv/dt额定、超低有效电容、改进的传导电导和不同封装类型等。
文件格式: PDF
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MD5: 72916F1E25F627BCA469D27CCB8F4302
发布时间: 06 April, 2012
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