技嘉 GV-RX165T256D-RH Radeon X1650 XT显示卡 使用手册 GV-RX165T256D-RH Radeon X1650 XT是一款显卡，它采用ATI Radeon® X1650 XT芯片，支持PCI Express x16接口，内存容量为256MB GDDR3，支持DirectX 9.0c，并支持CrossFire TM技术。
GA-N650SLI-DS4 Intel Core TM 2 Extreme quad-core / Core TM 2 Quad / Intel Core TM 2 Extreme dual-core / Core TM 2 Duo / Intel ® Pentium® Processor Extreme Edition / Intel Pentium D / Pent 该文件介绍了GA-N650SLI-DS4主板的特点和特性，支持多种Intel处理器，包括Core 2系列、Pentium系列和Celeron系列。
lnfineon TLE 4250 G 数据手册 TLE 4250 G 是一款集成电路，适用于汽车电子应用，专为在恶劣环境下供电传感器而设计。它具有额定电压 40 V、输出电流 50 mA、低压降和极低的待机电流消耗。此外，它还具有过载、短路和反极性保护功能。
nVidia nForce7025-630A/7050-630A/7050se-630A 主板 用户说明书 该文件介绍了2007年4月26日发布的AMD Socket AM2 (940-pin)和nVidia nForce7025-630A/7050-630A/7050se-630A MUGF7007426B01的特点和特性。
AMD Socket 754 处理器 NVIDIA nForce3 250Gb 芯片组 主板 使用手册 该文件是一个关于AMD Socket 754和NVIDIA nForce3 250Gb芯片组的中文使用手册。手册提供了关于产品的规格、安装、BIOS设置、SATA RAID配置和驱动程序安装等方面的信息。
infineon SPP21N50C3, SPB21N50C3 Final data SPI21N50C3, SPA21N50C3 说明书 该文件介绍了SPP21N50C3、SPB21N50C3、SPI21N50C3、SPA21N50C3等型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新型高压技术、最佳RDS(on)、超低门电荷、周期性击穿和极限dv/dt评级、超低有效电容、改进的跨导等。同时，还给出了这些型号的封装、订购代码和最大额定参数。
AMD Socket 754 处理器 NVIDIA nForce3 250 芯片组 主板 使用手册 This is a user manual for Gigabyte GA-MA770-UD3H motherboard
lnfineon CAN-Transceiver TLE 6250 TLE 6250 V33 说明书 TLE 6250是一款CAN收发器，可用于12V和24V应用。具有高速传输、优秀的EMC性能、宽温范围等特点。适用于汽车和工业应用。
lnfineon TLE 6250 说明书 TLE 6250 CAN-Transceiver是德州仪器公司生产的一款用于汽车和工业应用的CAN数据收发器，可在12V和24V系统中运行，数据传输速率高达1MBaud。
nVidia nForce 570 / nForce 550 主板 用户说明书(1)(1) 这是一个主板的说明书，型号为6000584AFAG10，支持AMD Socket AM2 (940-pin) 处理器，nVidia nForce 570 / nForce 550 芯片组
infineon SPW21N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW21N50C3是东芝推出的一款功率开关晶体管，采用TO247封装，其最大电压为560V，电流为21A。
infineon SPW32N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) 该文件介绍了SPW32N50C3 Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐受、极高的dv/dt耐受、超低有效电容和改进的跨导。
infineon SPW32N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该数据表格记录了SPW32N50C3这款产品的技术特性，包括额定电流、最大电压、最大电流、门源电压、开关频率、工作温度等参数。
infineon SPW52N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 spww52n50c3是鼎好品牌的p-to247类型的功率晶体管，其特点是世界领先的rds(on)，极低的栅极电荷，周期性放电额定，极限dv/dt额定，极低的有效电容和改进的传导率。
