IXYS IXTA/IXTP 3N120，IXTA/IXTP 3N110 数据手册 IXTA/IXTP 3N120和3N110是IXYS公司的高压功率MOSFET。它们具有国际标准的封装、低RDS（on）、unclamped Inductive load Switching（UIS）额定值和UL 94 V-0 阻燃性等优点。
IXYS IXTH 12N90/IXTM 12N90 数据手册 IXTH 12N90是一款TO-247封装的N沟道增强型MOSFET，其最大电压为900V，最大电流为12A，开关时间快，适用于开关电源、逆变器等应用。
IXYS IXTH 50N20/IXTM 50N20 说明书 该文件介绍了IXYS公司的MegaMOSTMFET N-Channel Enhancement Mode产品的特点和特性，包括国际标准封装、低导通电阻、坚固的多晶硅栅电池结构、低封装电感、快速开关时间等。该产品适用于开关模式和谐振模式电源、电机控制、不间断电源和直流斩波器等应用。
IXYS IXTH 24P20 数据手册 该文件是IXYS公司生产的一种标准功率MOSFET产品的规格说明书。该产品是一种P通道增强型MOSFET，具有200V的耐压、24A的电流承受能力和0.15Ω的导通电阻。其特点包括国际标准封装、低导通电阻、耐压能力强、易于驱动和保护等。适用于高侧开关、推挽放大器、直流斩波器和自动测试设备等应用。
IXYS IXTH / IXTM 21N50 数据手册 IXTH / IXTM 21N50 和 24N50 是 IXYS 公司的 MegaMOSTMFET N 沟道增强型 MOSFET，最大电压为 500 V，最大电流为 21 A 和 24 A，最大功率为 300 W。
IXYS IXTH 16P20 说明书 该文件介绍了IXYS的一款P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Standard Power MOSFET（IXTH 16P20），具有国际标准封装、低RDS(on)、坚固的多晶硅栅极单元结构、无限电感开关（UIS）等特点。
IXYS IXTQ 82N25P 数据手册 IXTQ 82N25P是IXYS的一款N沟道增强型功率MOSFET，其特点是采用国际标准封装，具有无钳位感应开关(UIS)额定值，封装电感低，易于驱动和保护。
IXYS IXTK 62N25 说明书 IXTK 62N25是一款高电流N通道增强型MOSFET，具有低RDS(on)、坚固的聚硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等特点，适用于电机控制、DC斩波器、开关电源等应用场合。
IXYS IXTK 250N10 说明书 该文件是关于IXYS公司的产品技术信息，介绍了其特点和性能参数。该产品采用低RDS (on) HDMOSTM工艺，具有坚固的多晶硅栅电池结构，适用于电机控制、直流斩波器、开关电源、直流-直流转换器和线性稳压器等应用领域。
IXYS IXTK 140N20P 说明书 IXTK 140N20P是一种高性能N沟道增强型功率MOSFET，其最大电压可达200V，最大电流可达140A。它具有国际标准封装、无钳位感性开关(UIS)额定、低封装电感等特点，易于驱动和保护。
IXYS IXTK 120N25 数据手册 这是一个关于IXTK 120N25 VDSS = 250 V ID25 = 120 A 产品的技术文档，介绍了该产品的特点特性，包括低 RDS（on）HDMOSTM 工艺、坚固的多晶硅栅极单元结构、国际标准封装、快速切换时间等。
IXYS IXTQ 64N25P/IXTT 64N25P 说明书 IXTQ 64N25P是IXYS生产的一款N沟道增强型功率MOSFET，其最大额定电压为250V，最大电流为64A，典型RDS(on)为48mΩ。
CTS 741, 742, 743, 744, 745, 746 Series 数据手册 该文件介绍了R系列741、742、743、744、745、746技术厚膜芯片电阻阵列的特点和特性，包括高密度封装、无铅表面贴装结构、低成本、焊锡涂层镍屏蔽垫、凸面或凹面终端选项等。
