TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOSIII) TPC8208 数据手册 TPC8208是一款TOSHIBA生产的场效应晶体管,适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。其特点包括小巧的封装、低漏源ON电阻、高正向传递导纳、低漏电流和增强模式等。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U−MOS II) TPC8209 数据手册 TPC8209是东芝公司生产的一款N沟道MOS型场效应晶体管,具有小型化、低漏电流、高导通电阻等特点,适用于锂电池、便携式设备、笔记本电脑等应用场景。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L 2 −π−MOSVI) TPC8301 数据手册 TPC8301是Toshiba生产的一款P沟道MOS管,主要应用于锂离子电池、便携式设备、笔记本电脑等。该产品具有小尺寸、低RDS(ON)、高Yfs、低IDS等特点。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (L 2 −π−MOSVI) TPC8302 数据手册 TPC8302是东芝生产的一种P通道MOS型场效应晶体管,主要应用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等。特点是电压驱动为2.5V,占用面积小,导通电阻低,漏电流小,开关速度快。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N, P Channel MOS Type (π−MOSVI/U−MOSII) TPC8402 数据手册 TPC8402是东芝公司生产的一款N,P通道MOS类型的场效应晶体管,应用于锂离子二次电池、笔记本电脑和便携式设备等。其特点是低导通电阻、高传递增益和低漏电流。
CATALYST CAT24FC64 数据手册 CAT24FC64是Catalyst Semiconductor公司生产的一种64K位串行CMOS EEPROM,内部组织为8,192个8位单元。该器件采用Catalyst Semiconductor公司先进的CMOS技术,大幅度降低了电源消耗。CAT24FC64具有64字节页写缓冲区。该器件通过I2C总线串行接口工作,并提供8脚DIP或8脚SOIC封装。
CATALYST CAT24FC65, CAT24FC66 数据手册 CAT24FC65/66是64k-bit Serial CMOS EEPROM,内部组织为8192个8位单元,采用Catalyst先进的CMOS技术可显著降低功耗。该器件支持I2C总线协议,具有64字节页面写缓冲区,可通过8引脚DIP、SOIC、TSSOP和TDFN封装。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS III) TPCF8102 数据手册 该文档提供了TPCF8102的参数信息,包括额定电压、最大电流等
TEXAS INSTRUMENTS CD54HC283, CD74HC283, CD54HCT283, CD74HCT283 High-Speed CMOS Logic 4-Bit Binary Full Adder with Fast Carry 数据手册 是哈里斯半导体 SCHS176D 公司发布的一款二进制全加器,该器件可以使用正负逻辑,并且支持10个标准输出和15个总线驱动输出,工作温度范围为-55°C 至 125°C。
CDIL CD9014 TO-92 CBE NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR Data Sheet 该文件介绍了NPN SILICON PLANAR TRANSISTOR CD9014的绝对最大额定值和电气特性。CD9014是一种TO-92封装的硅平面晶体管,具有50V的集电极-发射极电压,50V的集电极-基极电压和5.0V的发射极-基极电压。它的最大集电极电流为100mA,最大集电极功耗为625mW。该晶体管具有不同的电流增益等级分类,其动态特性包括输出电容、过渡频率和噪声系数。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (U-MOS IV / U-MOS III) TPCP8402 数据手册 TPCP8402是东芝公司生产的一款MOSFET器件,具有低漏电流、低开关电阻和高输入阻抗等特点。
TOSHIBA Multi-Chip Transistor Silicon NPN Epitaxial Type, Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8H02 数据手册 1
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8102 数据手册 TPCS8102是东芝生产的一款场效应晶体管,其特点是小型化和低功耗。它适用于锂离子电池、便携式设备和笔记本电脑等应用。
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (U-MOS II) TPCS8201 数据手册 TPCS8201是东芝生产的一款N沟道MOS管,具有小型化、低阻抗、高增益等特点,可用于锂电池、便携设备等应用场景
东芝 TPCS8204 数据手册 该文档介绍了TPCS8204型号的TOSHIBA场效应晶体管,该晶体管适用于锂离子电池应用、笔记本电脑应用和便携设备应用。它具有小尺寸和薄封装、低漏源电阻、高正向传输导纳、低泄漏电流和增强型等特点。