FAIRCHILD FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 说明书 FDN339AN N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 生产的具有高性能 trench 技术的 N 沟道 MOSFET，其 on-state 电阻和 gate 电荷都非常低，非常适用于 DC/DC 转换器和负载开关等应用。
FAIRCHILD FDN342P 说明书 (1) FDN342P是鼎好的一种产品，它是一种高压、低漏电流的N沟道MOSFET。该产品的最大漏源电压为-20伏，最大栅源电压为±12伏，最大漏电流为-2安培。该产品的功耗为0.5瓦，工作温度范围为-55到+150摄氏度。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低压低通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，适用于笔记本电脑电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低功耗P沟道逻辑级MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的导通电阻和低的栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(2) 本文件是关于FDN352AP的技术资料，该产品是一款P通道MOSFET，其特点是R DS(ON)非常低，而且封装采用了SOT-23，适用于低电压和电池供电的应用场景
FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN371N是Fairchild公司生产的20V N通道MOSFET器件，采用Fairchild公司高压PowerTrench工艺，应用于负载开关、电池保护、电源管理等场合。
FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了一款20V N-通道功率MOSFET，使用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，优化用于功率管理应用。其特点包括2.5A，20V的漏极-源极电阻为50mΩ，低栅电荷，快速开关速度以及极低的漏极-源极电阻。
FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 说明书 FDN372S是一款30V N-沟道PowerTrench同步MOSFET，可替代同步DC-DC电源中的单个MOSFET和肖特基二极管，具有低Rds(on)和低栅极电荷，能够提高功率转换效率。
SED OK 220 手机 说明书 This is a document about a product. The product's brand is XXX, model is XXX. It has the following features: 1, 2, 3.
FAIRCHILD FDN372S 30V N-Channel PowerTrench SyncFET 说明书 FDN372S是美国Fairchild公司生产的一款30V N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和低栅极电荷特性，适用于DC-DC转换器和电机驱动等应用场合。
FAIRCHILD FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 60V, 1.6A, 98mΩ 说明书 该文档是关于FDN5632N_F085 N-Channel Logic Level PowerTrench® MOSFET的使用手册，介绍了该产品的特点特性，包括RDS(on) = 98mΩ at VGS = 4.5V, ID = 1.6A、RDS(on) = 82mΩ at VGS = 10V, ID = 1.7A、Typ Qg(TOT) = 9.2nC at VGS = 10V、Low Miller Charge、Qualified to AEC Q101等
FAIRCHILD FDP025N06 N-Channel PowerTrench MOSFET 60V, 265A, 2.5mΩ 说明书 该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的FDP025N06 N-Channel PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，包括60V电压、265A电流、2.5mΩ电阻等。
FAIRCHILD FDP032N08 N-Channel PowerTrench MOSFET 75V, 235A, 3.2mΩ 说明书 FDDP032N08是一款N通道MOSFET，具有超低RDS(on)、高开关速度、低栅极电荷等特点。该器件可用于DC/DC转换器和同步整流等应用。
FAIRCHILD NC7SB3157, FSA3157 Low-Voltage SPDT Analog Switch or 2:1Multiplexer / De-multiplexer Bus Switch 说明书 NC7SB3157，FSA3157是一款低压SPDT模拟开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关，具有以下特点：1.可用于模拟和数字应用；2.节省空间，采用SC70 6引脚表面贴装封装；3.超小型，采用MicroPak™无引脚封装；4.低导通电阻<10Ω，在典型的3.3V VCC下；5.宽广的VCC工作范围：1.65V至5.5V；6.可处理从轨到轨的信号；7.电源关闭，高阻抗控制输入；8.控制输入的过压容忍度高达7.0V；9.断开前置使能电路；10.250MHz，3dB带宽。
FAIRCHILD NC7SB3157, FSA3157 Low Voltage SPDT Analog Switch or 2:1 Multiplexer/Demultiplexer Bus Switch 说明书(1)(1) NC7SB3157, FSA3157是高性能的单极双掷(SPDT)模拟开关或2:1多路复用器/解复用器总线开关。该器件采用先进的亚微米CMOS技术制造，可实现高速度使能和禁用时间以及低导通电阻。断开前使能选择电路可防止由于在选择引脚切换期间两者暂时被使能而对B端口的信号造成中断。该器件规格为在1.65至5.5V V CC工作范围内工作。控制输入容忍高达5.5V的电压，而不管V CC工作范围。
FAIRCHILD NC7SB3157, FSA3157 Low Voltage SPDT Analog Switch or 2:1 Multiplexer/Demultiplexer Bus Switch 说明书(1) NC7SB3157, FSA3157 是一款低压 SPDT 模拟开关或 2:1 多路复用器/解复用器总线开关
