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更新: 28 September, 2023
该文件介绍了一款20V N-通道功率MOSFET，使用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，优化用于功率管理应用。其特点包括2.5A，20V的漏极-源极电阻为50mΩ，低栅电荷，快速开关速度以及极低的漏极-源极电阻。
文件格式: PDF
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MD5: 01B1FD88448CD109B096DD617A51755E
发布时间: 12 April, 2012
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连接: FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1) PDF