FAIRCHILD FQPF2N80 800V N-Channel MOSFET 说明书(1) FQPF2N80 是一款 800V 的 N 沟道 MOSFET，具有低导通电阻、低门控电荷、低栅极 - 源极电容、快速开关速度和 100% 的雪崩测试，适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF2NA90 数据手册 FQPF2NA90是一款由Fairchild生产的900V N通道MOSFET。它的特点是低导通电阻、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100%雪崩测试和改进的dv/dt能力。
FAIRCHILD FQPF2NA90 900V N-Channel MOSFET 说明书 FQPF2NA90是一款900V N-Channel MOSFET功率场效应晶体管，采用Fairchild的特有技术制造，具有低通态电阻、优异的开关性能和高能量脉冲的耐受能力，适用于高效开关模式电源。
FAIRCHILD FQPF2P25 250V P-Channel MOSFET 说明书 FQPF2P25是Fairchild生产的一种250V P通道MOSFET，其特点是导通电阻小、开关速度快，能够承受高能脉冲。
FAIRCHILD FQPF2P25 250V P-Channel MOSFET 说明书(1) 这份文件介绍了FQPF2P25型号的250V P-Channel MOSFET产品，这是一种P-Channel增强模式功率场效应晶体管，采用了Fairchild的专有DMOS技术。该产品具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲承受能力的特点，非常适用于高效率开关直流/直流转换器。
FAIRCHILD FQPF2P40 400V P-Channel MOSFET 说明书(1)(1) FQPF2P40是Fairchild公司生产的一种400V P通道MOSFET，具有RDS(on) = 6.5Ω @VGS = -10 V、低门控电荷(典型10 nC)、低Crss(典型6.5 pF)、快速开关、100%雪崩测试、改进dv/dt能力等特点
FAIRCHILD FQPF2P40 400V P-Channel MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了FQPF2P40型号的400V P-Channel MOSFET产品的特点和特性，包括低通态电阻、低栅极电荷、快速开关等。
FAIRCHILD FQP32N12V2/FQPF32N12V2 数据手册 本文件是FQP32N12V2/FQPF32N12V2 N-Channel MOSFET的技术资料，介绍了该器件的特性、特点，包括RDS(on)、Crss、dv/dt等。
FAIRCHILD FQPF34N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册(1)(1) 该文档介绍了Fairchild Semiconductor International公司生产的FQPF34N20L型200V逻辑N沟道MOSFET产品的特点。它采用了先进的DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能量脉冲抗击能力。该产品适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源和电机控制等领域。
FAIRCHILD FQPF34N20L 200V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册(1) FQPF34N20L是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管，该晶体管采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优越的开关性能、承受高能脉冲能力强等特点，适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、电机控制等应用。
FAIRCHILD FQPF3N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF3N25是Fairchild生产的一款N沟道增强型功率场效应晶体管。该器件采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，非常适用于高效开关DC/DC转换器和开关电源。
FAIRCHILD FQPF3N25 250V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF3N25是Fairchild生产的一种N通道增强型功率场效晶体管，采用Fairchild专有的平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力，适用于高效率开关DC/DC转换器和开关电源。
FUTEK LSM302(L2337) FOLD BACK PARALLEL BEAM LOAD CELL(OEM TYPE) 本文件是关于LSM302 (L2337)的技术资料，包括了产品的技术参数、尺寸、封装等信息，供客户了解产品的具体信息
