infineon CAN-LDO-ASIC TLE 6263 说明书 该文档介绍了鼎好公司的汽车和工业系统基础芯片TLE 6263的特点和特性。该芯片集成了LS CAN、LDO和HS开关功能,具有标准的容错差分CAN收发器、总线故障管理、低功耗模式管理、CAN只接收模式、最高125 kBaud的CAN数据传输速率、低压降5V稳压器、高侧开关、2个唤醒输入、上电和欠压复位发生器、窗口看门狗、失效安全输出、早期警告功能、感知比较器输入、标准8位SPI接口、闪存编程模式、宽输入电压范围、宽温度范围等特点。
infineon System Basis Chip TLE 6266 G 说明书(1) 该文件介绍了一款名为TLE 6266 G的增强型电源系统基础芯片的特点和特性。该芯片具有标准的容错差分CAN收发器、总线故障管理、低功耗模式、CAN数据传输速率高达125kBaud、5V±2%的低压降稳压器、两个低侧开关、三个带内部电荷泵的高侧开关、上电和欠压复位发生器、Vcc监控器、窗口看门狗、闪存编程模式、可通过SPI编程的周期唤醒定时、集成的故障保护机制、标准16位SPI接口、宽输入电压和温度范围、过温保护、增强型电源P-DSO封装、唤醒输入引脚等特点。
infineon Datasheet TLE6280GP 3-Phase Bridge Driver IC 说明书(1)(1) 该数据手册详细介绍了 TLE6280GP 3 相桥驱动 IC 的特点和特性。该 IC 具有多种保护功能,专门用于 PWM 控制模式下的 3 相高电流电机桥。该器件符合汽车 12V 应用的要求。
infineon Datasheet TLE6280GP 3-Phase Bridge Driver IC 说明书(1) TLE6280GP是一款3相桥驱动IC,适用于PWM控制模式下的3相高电流电机桥。该器件满足12V汽车应用要求。
infineon Data Sheet TLE 6281G 说明书(1)(1) 该文件介绍了TLE 6281G型号的技术资料和特点特性,包括输入控制、死区时间、欠压保护、短路检测、过温警告等功能。该产品适用于12V、24V和42V的直流刷高电流电机桥的PWM控制模式。
infineon Data Sheet TLE6282G 说明书 这是一款双半桥驱动器IC,兼容低电阻输入的N通道MOSFET,具有独立的MOSFET输入、PWM频率高达50kHz、工作电压低至7.5V、低EMC敏感度和发射、可调死区时间和开关保护、可禁用死区时间和开关保护、每个MOSFET短路保护、驱动器欠压关断、驱动器IC反极性保护、禁用功能、TTL输入特征、1位诊断、集成引脚二极管等功能。
infineon TLE6282G Dual Half Bridge Driver IC 说明书 TLE6282G是一款双半桥驱动器IC,具有多重保护功能,可用于12、24和42V电源网络应用中DC-brush高电流电机桥的PWM控制模式,并可用作单极4相电机驱动的四倍低侧驱动器。
infineon TLE6284G 1 2006-01-30 H-Bridge Driver IC 说明书 TLE6284G是一款H桥驱动器IC,兼容低阻正常电平输入N沟道MOSFET,可以用于12、24和42V电源网络应用的DC-刷高电流电机桥中,在PWM控制模式下工作,频率可达50kHz。
infineon LIN-Transceiver LDO TLE 6285 说明书 TLE 6285是一种单线收发器,带有LDO。它是P-DSO-16-4封装中的芯片级集成电路。它作为协议控制器和物理总线之间的接口。TLE 6285特别适用于驱动汽车和工业应用中的LIN系统中的总线线路。此外,它还可以用于标准ISO9141系统。为了降低电流消耗,TLE 6285提供了睡眠操作模式。在此模式下,可以控制电压调节器,以最小化整个应用的电流消耗(VR在睡眠模式下<1µA!)。虽然本机电压调节器(VR)是为该应用设计的,但也可以使用外部电压调节器。
SIEMENS 5-V Low-Drop Fixed-Voltage Regulato TLE 4264 G 说明书 TLE 4264 G是5V低压降固定电压稳压器,SOT-223封装,输入电压VI范围为5.5 V < VI < 45 V,输出电压VQrated = 5.0 V,最大输出电流为120 mA以上,该IC短路安全,具有过温保护,使电路在过温时失效。
SIEMENS 5-V Low-Drop Voltage Regulator TLE 4263 说明书 该数据表提供了5V低压降稳压器TLE 4263的详细信息,包括特性、型号、封装、功能描述、外部组件信息等
infineon SPW20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW20N60C3是鼎好旗下的一款高压功率晶体管,其最大电压为650V,额定电流为20.7A,具有超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力和改善的传导率等特点。
infineon SPW20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPW20N60C3是鼎好品牌的一款功率晶体管,其特点是新革命的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、改进的传导率。
infineon SPW20N60CFD Cool MOS Power Transistor(1)(1) SPW20N60CFD是鼎好的一款高压功率晶体管,其特点是低门控电荷、极低的dv/dt,以及极低的反向恢复电荷。
infineon SPW20N60CFD Cool MOS Power Transistor(1) SPW20N60CFD是鼎好的一款功率晶体管,其最大电压为650V,额定电流为20.7A。该晶体管具有极低的栅极电荷、极低的反向恢复电荷、高峰值电流能力、内置快速恢复二极管等特点。
infineon SPW20N60S5 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPW20N60S5是一款高压功率晶体管,其最大电压为600伏,最小电阻为0.19欧姆,最大电流为20安培。该晶体管具有新型革命性高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、超低有效电容和改进的传导率。