ST TDA2009A 10 +10W STEREO AMPLIFIER 说明书 TDA2009A 是鼎好电子生产的一款 AB 类双声道高保真音频功放芯片，最大输出功率可达 10 + 10W，最高输出电流 3.5A，具备 AC 短路保护和过热保护功能。
ST TDA2008 12W AUDIO AMPLIFIER (Vs = 22V, RL = 4Ω) 说明书(1)(1) TDA2008是一款单片B类音频功率放大器，适用于驱动低阻抗负载。该设备具有高输出电流能力，极低的谐波和交叉失真。此外，该设备还具有很多特点，如少量外部组件、易于组装、节省空间和成本、高可靠性、灵活可用、热保护。
ST TDA2008 12W AUDIO AMPLIFIER (Vs = 22V, RL = 4Ω) 说明书(1) TDA2008是德州仪器（TI）生产的一款12W音频功放器件，工作电压为22V，额定负载电阻为4欧姆。该器件采用Pentawatt封装，具有极低的谐波和交叉失真，非常适合驱动低阻抗负载。此外，该器件还具有以下特点：外围元件数量极少、易于安装、节省空间和成本、高可靠性、使用灵活性和热保护功能。
ST TDA2 0 07A May 1991 6 + 6W STEREO AMPLIFIER 说明书(1)(1) TDA2007A 是鼎好推出的一款 6 + 6W 的立体声功放，采用 SIP9 封装，具有高输出功率、高电流能力、AC 短路保护和热保护等特点，适用于音乐中心、电视机接收器和便携式收音机等场合。
ST TDA2 0 07A May 1991 6 + 6W STEREO AMPLIFIER 说明书(1) TDA2007A是一款高输出功率、高电流能力的AB类双声道音频功放芯片，适用于音乐中心、电视接收器和便携式收音机的立体声应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书 SPA-1218是斯坦福微设备公司生产的一款1960MHz 1瓦功率放大器。该器件采用高可靠性GaAs HBT技术，具有高线性度性能，最高可达到+48dBm OIP3。SPA-1218采用低成本的表面贴装塑料封装，适用于PCS系统和多载波应用。
SIRENZA SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices公司的SPA-1218功率放大器，该产品具有高线性性能和可靠性，适用于PCS系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 说明书(1) SPA-1218 1960 MHz 1 Watt Power Amp with Active Bias 是 Stanford Microdevices 公司推出的一款高效率 GaAs 异质结双极晶体管 (HBT) 放大器，采用低成本的表面安装塑料封装。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1)(1) SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 是一款新型高压MOS功率晶体管，具有极低的门控电荷、周期性雪崩额定、极限dv/dt额定、极低的有效电容和改进的传导率。
infineon SPP12N50C3, SPB12N50C3 SPI12N50C3, SPA12N50C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该文件介绍了SPP12N50C3、SPB12N50C3、SPI12N50C3和SPA12N50C3四种型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新的高压技术、超低栅极电荷、周期性雪崩耐受能力、极端的dv/dt耐受能力、超低有效电容、改进的跨导以及不同封装类型和标记。还列出了各种型号的最大额定值，如连续漏极电流、脉冲漏极电流、雪崩能量等。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1)(1) SPA-1318是Stanford Microdevices生产的一款功率放大器，具有高效率、高可靠性和高线性度等特点。
SIRENZA SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书 该文档介绍了Sirenza Microdevices的SPA-1318产品，该产品是一种高效率GaAs HBT放大器，具有高线性性能和可降低功耗的特点。适用于W-CDMA系统和多载波应用。
STANFORO MICRODECIVES SPA-1318 2150 MHz 1 Watt Power Amplifier with Active Bias 说明书(1) SPA-1318 2150 MHz 1 Watt 功率放大器带有有源偏置
RFMD SPA-1426Z 0.7GHz to 2.2GHz 1W InGaP HBT AMPLIFIER 说明书 SPA-1426Z是RFMD公司推出的0.7GHz至2.2GHz 1W InGaP HBT功率放大器,采用InGaP-on-GaAs器件技术和MOCVD工艺制造,具有高线性度、低成本、高可靠性等特点,适合用作宏微基站设备的驱动级或蜂窝小基站设备的最终输出级
infineon SPP20N60C2, SPB20N60C2 Final data SPA20N60C2 Cool MOS Power Transistor 说明书 本文介绍了鼎好公司生产的SPP20N60C2, SPB20N60C2和SPA20N60C2三种Cool MOS™功率晶体管的特点和特性，包括新颖的高压技术、全球最佳RDS(on)、超低门电荷、周期雪崩额定、极限dv/dt额定和超低有效电容。
infineon SPP20N60C3, SPB20N60C3 Final data SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书(1) 该数据表提供了SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3的规格信息，包括最大电压、电流、频率等参数。
infineon SPP20N60C3, SPB20N60C3 Final data SPI20N60C3, SPA20N60C3 Cool MOS Power Transistor 说明书 SPP20N60C3, SPB20N60C3 SPI20N60C3, SPA20N60C3是鼎好电子提供的一款高性能功率晶体管产品，该款产品采用了全新的革命性高压技术，具有全球最佳RDS(on)、超低栅极电荷、周期性雪崩额定、极端dv/dt额定、高峰值电流能力、改进的传输特性等特性，适用于各种高压应用场景。
