infineon SPP20N60S5 Preliminary data SPB20N60S5 说明书 SPP20N60S5/SPB20N60S5 是一款高压功率晶体管，其特点是 RDS(on) 为 0.19 欧姆，ID 为 20 A，采用 TO220 和 TO263 封装。
infineon SPP20N65C3, SPA20N65C3 SPI20N65C3 说明书 该文档介绍了鼎好公司的SPP20N65C3、SPA20N65C3和SPI20N65C3三款Cool MOS™功率晶体管的技术参数和特性。这些产品具有高压技术、低RDS(on)、超低栅极电荷、高峰值电流能力等特点。
infineon Preliminary data SPI21N10 SPP21N10,SPB21N10 说明书 SPI21N10 SPP21N10,SPB21N10 SIPMOS Power-Transistor Product Summary，是一款N-Channel Enhancement mode的功率晶体管，最大工作电压为100V，最大漏电流为21A，最大导通电阻为80mΩ，工作温度范围为-55~+175℃。
infineon Preliminary data SPI21N10 SPP21N10,SPB21N10 说明书(1) SPI21N10 SPP21N10,SPB21N10是鼎好推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，其最大导通电流为21A，最大漏源电压为100V，最大结温为175°C。
infineon SPP21N50C3, SPB21N50C3 Final data SPI21N50C3, SPA21N50C3 说明书 该文件介绍了SPP21N50C3、SPB21N50C3、SPI21N50C3、SPA21N50C3等型号的Cool MOS™功率晶体管的特点，包括新型高压技术、最佳RDS(on)、超低门电荷、周期性击穿和极限dv/dt评级、超低有效电容、改进的跨导等。同时，还给出了这些型号的封装、订购代码和最大额定参数。
SPP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 说明书 SPP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET是鼎好电子生产的一款P通道电源管理MOSFET，具有极低的RDS（ON），采用SOT-23-3L封装。
AMD Socket 754 处理器 NVIDIA nForce3 250 芯片组 主板 使用手册 This is a user manual for Gigabyte GA-MA770-UD3H motherboard
SPP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFET 说明书 SPP2301A是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，采用高细胞密度、DMOS沟道技术生产。这些器件特别适用于低压应用，例如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路，需要非常小的外形表面安装封装。
SPP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFET 说明书 SPP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFET是三端半导体器件，其特征特性是超高密度电池设计，具有极低的RDS（ON）和卓越的低阻抗，适用于笔记本电脑等低压应用。
SPP2301 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 说明书 SPP2301是一款P通道增强型MOSFET，适用于低电压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电的电路。
SPP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册 SPP2303 是 P-通道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度、DMOS沟道技术生产。该高密度工艺专门针对最小化开启状态电阻进行了调整。这些器件特别适用于需要在非常小的线框表面贴装封装中实现低电压应用（如手机和笔记本电脑电源管理）和其他电池供电电路的低串行电力损失。
SPP2303 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册 SPP2303是一种P-Channel增强型MOSFET，适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理以及其他电池供电电路。它具有超高密度的单元设计，极低的导通电阻和最大直流电流能力。
AMD Socket A Processor based mainboard(200/266MHz) 用户手册 该文件介绍了基于AMD Soc处理器的主板，支持PC1600/PC2100/PC2700 DDR内存模块，其中包括了关于POST端口的常见问题和用户手册。
AMD Socket A Processor based mainboard(200/266MHz) 用户手册(1) 这是一份关于AMD Socket A Processor based mainboard的用户手册
SPP2305 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册(1)(1) SPP2305是一种P-Channel增强型MOSFET功率场效应晶体管，采用高密度DMOS沟道技术生产。该器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路，需要非常小的外形表面贴装封装和低线损。
SPP2305 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册(1) SPP2305是P通道逻辑增强模式功率场效应晶体管，使用高单元密度、DMOS沟道技术生产。这种高密度工艺特别定制，以最小化开态电阻。这些器件特别适用于低压应用，例如蜂窝电话和笔记本电脑电源管理以及其他需要在非常小的框架表面贴装封装中实现低线路功率损耗的电池供电电路。
SPP2319 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册 SPP2319是P-Channel逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高密度的DMOS沟道技术生产。该器件特别适用于低压应用，如手机和笔记本电脑的电源管理以及其他需要高侧开关和低线路功率损耗的电池供电电路。
SPP2341 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册 SPP2341 P通道增强型MOSFET，具有非常低的RDS(ON)，适用于电源管理、便携式设备、电池供电系统、DC/DC转换器、负载开关、DSC等应用
SPP2341 P-Channel Enhancement Mode MOSFET 数据手册 SPP2341是一种P通道增强型逻辑开关MOSFET，其采用高密度DMOS沟槽技术生产，具有极低的开关损耗，非常适合于手机、笔记本电脑电源管理和其他电池供电电路等低压应用。
