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更新: 30 September, 2023
SPP2301A P-Channel Enhancement Mode MOSFET是三端半导体器件，其特征特性是超高密度电池设计，具有极低的RDS（ON）和卓越的低阻抗，适用于笔记本电脑等低压应用。
文件格式: PDF
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MD5: FD72C38DD44491355A107690019B5746
发布时间: 05 April, 2012
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