SAMSUNG K4S64323LF-S(D)N/U/P 数据手册 K4S64323LF-S(D)N/U/P是三星公司生产的一款手机SDRAM内存,采用2.5V电源,采用四个银行设计,支持多种时序配置,可以广泛应用于高带宽和高性能存储系统应用。
三星 K4S511632M CMOS SDRAM 说明书(1) K4S511632M是536,870,912位同步高速动态内存,由4 x 8,388,608字节x 16位组成,采用SAMSUNG的高性能CMOS技术制造。
三星 K4S513233F - M(E)C/L/F Mobile SDRAM 说明书(1) K4S513233F - M(E)C/L/F是三星公司生产的一款移动存储器,它支持3.0V和3.3V电源,LVCMOS兼容多路复用地址,支持四个银行操作,支持MRS周期和地址键程序。
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1) K5L5628JT(B)M是三星推出的一款256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM
三星 K5L5628JT(B)M 数据手册(1)(1) K5L5628JT(B)M 是三星公司生产的一款 256M Bit (16M x16) Synchronous Burst , Multi Bank NOR Flash / 128M Bit(8M x16) Synchronous Burst UtRAM ,工作电压为 1.7V 到 1.95V ,工作温度为 -30°C ~ 85°C 。