FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1) 2SK2638-01MR 是 N 沟道 MOS-FET FAP-IIS 系列，最大电压为 450V，电流为 10A，功率为 50W。它具有高速度开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ±30V 保证、重复雪崩额定等特点。它可用于开关电源、UPS、DC-DC 转换器和通用功率放大器。
FUJI 2SK2638-01MR Data Sheet(1)(1) 2SK2638-01MR是鼎好电子的N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无次级击穿、低驱动功率、高电压、VGS = ± 30V保证、重复雪崩额定等特点，适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器、通用功率放大器等应用。
FUJI 2SK2639-01 Data Sheet(1)(1) 该文件介绍了2SK2639-01 N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。
FUJI 2SK2640-01MR Data Sheet 2SK2640-01MR是鼎好半导体生产的一款N沟道MOS-FET，具有高开关速度、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高耐压等特点，应用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等领域。
FUJI ELECTRIC 2SK2640-01MR DATA SHEET 该文档介绍了2SK2640-01MR N-channel MOS-FET FAP-IIS系列产品的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、无二次击穿、低驱动功率、高电压等。该产品适用于开关电源、UPS、DC-DC转换器和通用功率放大器等应用领域。
THSHIBA TC7WB125FK 说明书 TC7WB125FK是东芝公司生产的一款低通阻、高转速的CMOS2位总线开关，其特点是可以在保持CMOS的低功耗特性的同时，以最小的传输延迟实现连接或断开。当输出使能(OE)为低电平时，开关处于开启状态；当处于高电平时，开关关闭。所有输入都配备保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WB125FK 说明书(1) TC7WB125FK是东芝公司生产的一款低阻抗、高速CMOS 2位总线开关器件，其具有连接和断开连接时延短、功耗低等特点。当输出使能(OE)为低电平时，开关器件工作；当为高电平时，开关器件关闭。所有输入均配备保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WBD125AFK 说明书(1)(1) TC7WBD125AFK是东芝公司生产的一种低阻抗、高速度CMOS 2位总线开关。该开关允许在保持CMOS特征的低功耗的同时，以最小的传播延迟进行连接或断开。当输出使能(OE)处于低电平时，开关处于开启状态;当处于高电平时，开关处于关闭状态。该器件能够实现从5V到3.3V的信号电平转换。所有输入都配备了保护电路，以保护器件免受静电放电。
THSHIBA TC7WBD125AFK 说明书(1) TC7WBD125AFK是东芝推出的一款低阻抗、高速CMOS 2 位总线开关。该总线开关可在保持CMOS特性的低功耗的同时，以最小的传播延迟进行连接或断开。当输出使能 (OE) 处于低电平时，开关处于开启状态；当处于高电平时，开关处于关闭状态。该器件可以实现从 5 V 到 3.3 V 的信号电平转换。所有输入都配备了保护电路，以保护器件免受静电放电的影响。
THSHIBA TC7WBD125FK 说明书 TC7WBD125FK是TOSHIBA公司生产的一款低阻、高速CMOS双端口开关，具有典型CMOS特点：低功耗和低传播延迟。当输出使能(OE)为低电平时，开关接通；当为高电平时，开关断开。内部的二极管可以实现从5V到3.3V的电平转换。
