THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(1) TC7WBD126FK是一种低电阻、高速CMOS 2位总线开关，具有CMOS的低功耗特性。当输出使能（OE）为高电平时，开关打开；当为低电平时，开关关闭。内部二极管使得电源线的电平从5V变为3.3V。
THSHIBA TC7WBD126FK 说明书(2) TC7WBD126FK是一种低开关电阻、高速CMOS 2位总线开关，具有低功耗的特点。它可以在最小的传播延迟下进行连接或断开连接。当输出使能（OE）为高电平时，开关处于打开状态；当为低电平时，开关处于关闭状态。该器件还具有内部二极管，可实现信号电平从5V到3.3V的转换。
THSHIBA TC7WBL125FK 说明书(1) TC7WBL125AFK是东芝公司生产的一款低压双总线开关，工作电压范围为2~3.6V，开关时间tpd为0.31ns，开关阻抗RON为5欧姆，ESD保护为±2000V，支持US8封装。
THSHIBA TC7WBL125FK 说明书(2) TC7WBL125FK是东芝公司生产的一款低压双通道开关芯片，工作电压范围为2~3.6V，开关速度极快，传播延时仅为0.25ns，开关阻抗也很低，仅为5Ω。该芯片还具备ESD静电保护、高噪声免疫等特性，适用于模拟信号传输。
THSHIBA TC7WG02FU,TC7WG02FK 说明书 TC7WG02FU/FK是东芝生产的一种双2输入NOR门，具有高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围广、输入端耐5.5V电压、输出端具备3.6V掉电保护功能等特点。
THSHIBA TC7WG125FC 说明书(1)(1) TC7WG125FC是一款TOSHIBA的CMOS数字集成电路，具有双总线缓冲器和3态输出功能。其特点包括高电平输出电流、高速操作、工作电压范围、5.5V输入容忍和3.6V断电保护输出。
THSHIBA TC7WG125FC 说明书(1) 本文件为东芝TC7WG125FC数据手册，主要介绍了该产品的特点特性，包括高电平输出电流、高速度操作、工作电压范围、5.5V容忍输入和3.6V电源下保护输出等。
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TC7WG125FU,TC7WG125FK 数据手册 该文件介绍了TC7WG125FU/FK型号的TOSHIBA CMOS数字集成电路硅片单片机，包括其高级输出电流、高速运行、工作电压范围等特性。
TOSHIBA CMOS Digital Integrated Circuit Silicon Monolithic TC7WG125FU,TC7WG125FK 数据手册(1) TC7WG125FU/FK是东芝生产的双总线缓冲器，具有3-STATE输出
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1)(1) K4S643233F是由三星生产的一款同步动态随机存储器(SDRAM)，它具有67,108,864位，并组织为4 x 524,288字和32位。该设备支持3.0V和3.3V电源，LVCMOS兼容，可进行多路复用地址和四路操作。
SAMSUNG K4S643233F-S(D)E/N/I/P 数据手册(1) K4S643233F-S(D)E/N/I/P 是一款由三星公司生产的2Mx32 SDRAM 内存，工作电压为3.0V / 3.0V 或3.3V / 3.3V，采用90FBGA封装。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1)(1) K4S643233H是三星公司生产的同步高数据速率动态随机存取存储器，其存储容量为67,108,864位，组织形式为4 x 524,288 words by 32 bits，采用三星高性能CMOS技术制造。该存储器支持3.0V和3.3V电源供电，可在-25℃~70℃和-25℃~85℃的商业温度和扩展温度范围内工作。
SAMSUNG K4S643233H - F(H)E/N/G/C/L/F 数据手册(1) K4S643233H是由三星公司生产的一款高性能的同步动态随机存储器（SDRAM），可在-25°C至85°C的温度范围内工作。该器件具有多种可编程的特性，如操作频率、突发长度和延迟，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
SAMSUNG K4S64323LF-S(D)G/S 数据手册 K4S64323LF-S(D)G/S 是由三星生产的2Mx32位同步高数据速率动态随机存储器，工作电压为2.5V，采用90脚FBGA封装。该器件具有多种可编程功能，包括CAS延迟、突发长度、突发类型等，可用于各种高带宽和高性能内存系统应用。
