FAIRCHILD Design Consideration for Interleaved Boundary Conduction Mode PFC Using FAN9611 / FAN9612 数据手册 本文介绍了使用FAN9611/12的交错边界导通模式PFC的设计注意事项，包括设计电感器和零电流检测电路，选择元件以及闭环控制。该设计程序通过一个实验性的400W原型转换器进行了验证。FAN9611/12交错双BCM PFC控制器将两个并联的升压电源级180º相位差运行，将该控制技术的最大实际功率水平从200-300W扩展到800W以上。与通常在这个功率水平上使用的连续导通模式（CCM）技术不同，BCM提供了升压二极管的固有零电流开关（无反向恢复损失），这使得可以使用更便宜的二极管而不会降低效率。此外，由于功率级和有效的倍频器之间的波动抵消，输入和输出滤波器可以变小。具有峰值检测电路的先进的线路前馈可以在线路暂变期间最小化输出电压变化。为了保证在轻负载下稳定运行并减少开关损耗
EIKI LC-XB31 LC-XB33 Owner's Manual 该文件介绍了LC-XB31多媒体投影仪的特点特性，包括便携设计、兼容性、简单的计算机系统设置、数字缩放、噪声消除功能、黑板功能和快速终止功能。
EIKI LC-XB41 OWNER’S MANUAL 本文件包含了LC-XB41多媒体投影仪的产品特性和设计，包括简洁的外观设计、广泛的兼容性、简单的计算机系统设置、实用的演示功能、360度投影、有用的维护功能和多语言菜单显示等
EIKI LC-XB41N OWNER’S MANUAL LC-XB41N多媒体投影仪是松下公司推出的一款投影仪产品，这款产品支持无线LAN和有线LAN，并且可以连接USB存储设备，具有360度投影、防盗报警、简单的计算机系统设置等功能。
EIKI LC-XG110 LC-XG210 OWNER'S INSTRUCTION MANUAL 这份文件是关于多媒体投影仪型号LC-XG110的使用说明书，包含了注意事项、安全预防措施和故障排除等内容。
FAIRCHILD Semiconductor AN-7516 应用手册 本应用笔记介绍了一种用于测试无热沉功率MOS晶体管的安全工作区域的方法。该方法不使用热沉，而是依赖于器件封装的热电容（CT），以便在SOA测试期间预测器件外壳的温度。
FAIRCHILD AN-4153 Designing Asymmetric PWM Half-Bridge Converters with a Current Doubler and Synchronous Rectifier using FSFA-Series Fairchild Power Switches (FPS ) 数据手册 本设计手册介绍了使用Fairchild FSFA系列功率开关(FPSTM)构建不对称PWM半桥转换器的设计方法，该转换器使用电流倍增器和同步整流器。
FAIRCHILD AN1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT -6 Power MOSFETs 数据手册 本文介绍了如何通过优化设计铜贴，以改善SuperSOTTM-6 Power MOSFET的功率性能。通过使用文中建议的热解决方案，用户可以充分利用Fairchild Semiconductor最新一代Power MOSFET的卓越性能特点，包括极低的导通电阻和改进的结-壳（RθJC）热阻。最终用户可以实现改善器件性能和提高电路板的集成密度。
FAIRCHILD AN1028 Maximum Power Enhancement Techniques for SOT-223 Power MOSFETs 数据手册 该文件介绍了如何最大化 SOT-223 功率 MOSFET 的功率处理能力。该文件提供了铜安装垫的最佳设计方法，以提高组件性能和电路板封装密度。
FAIRCHILD AN1031 Considerations in Designing the Printed Circuit Boards of Embedded Switching Power Supplies 数据手册 此文档介绍了如何设计印刷电路板(PCB)，以便在开关电源中实现良好的性能。文中介绍了设计的关键规则和要点，以及如何在设计过程中避免常见的错误。
FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文档描述了一种自加热 SPICE MOSFET 模型，该模型能够准确地描述垂直 DMOS 功率 MOSFET 的电气和热响应。该宏模型实现是 MOSFET 建模多年发展的成果。这种新的版本汇集了 VDMOS MOSFET 的热模型和电气模型。现有的电气模型 [2,3] 具有高度的准确性，并得到了业界的认可。本文描述了使用参数数据进行模型校准过程的顺序。新的自加热 MOSFET 模型的模拟响应跟踪动态热响应，并且独立于 SPICE 的全球温度定义。
FAIRCHILD A New PSPICE Electro-Thermal Subcircuit For Power MOSFETs 数据手册(1) 本文件介绍了一种精确描绘垂直DMOS功率MOSFET的热和电气特性的经验自加热SPICE MOSFET模型。
FAIRCHILD Assembly Guidelines for MicroFET 1.6x1.6mm Packaging 数据手册 该应用笔记介绍了MicroFET 1.6x1.6的封装技术，包括MLP技术、封装设计、安装工艺等
FAIRCHILD BSR18A PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR18A是FAIRCHILD公司生产的PNP型通用放大器，最大集电极-发射极电压40V，集电极-发射极击穿电压40V，集电极-基极击穿电压40V，发射极-基极电压5.0V，最大集电流200mA，最大功耗350mW。
FAIRCHILD BSR17A NPN General Purpose Amplifier 数据手册 该文件介绍了BSR17A型号的NPN通用放大器和开关的特点。作为开关时，其动态范围可达到100mA；作为放大器时，其动态范围可达到100MHz。
FAIRCHILD BSR16 PNP Epitaxial Silicon Transistor 数据手册 BSR16是一种PNP外延硅晶体管，具有负载电流高达500mA的通用放大器和开关功能。它适用于各种应用，提供稳定的性能和可靠性。
FAIRCHILD BSR15 PNP General Purpose Amplifier 数据手册 BSR15是一款PNP型的通用放大器，适用于需要最大集电极电流为500mA的放大器和开关。它的主要特点是集电极-发射极电压为-40V，集电极-基极电压为-60V，发射极-基极电压为-5.0V。该产品适用于工作温度范围为-55℃至+150℃。
