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LM139/239/239A/339/339A/LM2901/MC 3302是一款四通道电压比较器，适用于单电源和双电源供电。具有宽范围的单电源电压和双电源电压输入，低功耗，低输入偏置电流和偏移电压等特点。

该文件是关于MC33030LDS供应商的信息。MC33030LDS是一种受版权保护的材料，由其制造商提供。该文件重复了多次这一信息。

The MC33033 is a high performance second generation, limited feature, monolithic brushless dc motor controller which has evolved from Motorola′s full featured MC33034 and MC33035 controllers. It contains all of the active functions required for the implementation of open loop, three or four phase motor control. The device consists of a rotor position decoder for proper commutation sequencing, temperature compensated reference capable of supplying sensor power, frequency programmable sawtooth oscillator, fully accessible error amplifier, pulse width modulator comparator, three open collector top drivers, and three high current totem pole bottom drivers ideally suited for driving power MOSFETs. Unlike its predessors, it does not feature separate drive circuit supply and ground pins, brake input, or fault output signal. Included in the MC33033 are protective features consisting of undervoltage lockout, overtemperature protection, and thermal shutdown.

该文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation于2002年发布的KSA931 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于低频放大和中速开关应用。

该文件是关于 KSA916 数据手册的，它是一款由 Fairchild Semiconductor Corporation 公司生产的 PNP 型硅晶体管。该数据手册提供了该晶体管的绝对最大额定值、电气特性、hFE 分类、符号参数、测试条件、最小值、典型值、最大值、单位以及图形。

该文档介绍了KSA812 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性，包括电流增益、饱和电压、导通电压等。此外，还提供了器件引脚排列图和hFE分类信息。

该文件是关于KSA1298 PNP外延硅晶体管的绝对最大额定值和电特性的说明。该晶体管具有低频功率放大器的特点，是KSC3265的互补型号。

KSA1281是一款音频功率放大器，具有1W的集电极功耗和3瓦的输出应用。其绝对最大额定值包括集电极功耗、结温、存储温度等。其电特性包括集电极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极截止电流、发射极截止电流、直流电流增益、基极-发射极饱和电压等。

本文档介绍了Fairchild Semiconductor Corporation生产的KSA1182 PNP Epitaxial Silicon Transistor的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管适用于低频功率放大器，与KSC2859互补。文档提供了晶体管的最大额定电压、最大功耗、最大结温和存储温度等信息，还列出了静态特性、直流电流增益、基极-发射区饱和电压等特性的典型曲线。

KSA1015是Fairchild Semiconductor生产的PNP型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为-50V，最大集电极-发射极反向电压为-50V，最大集电极-基极反向电压为-5V，最大集电极电流为-150mA，最大基极电流为-50mA，最大集电极功率耗散为400mW，最大结温为125℃，最小储存温度为-65℃，最大储存温度为150℃。

FZT3019是一款NPN通用功放器件，适用于中等功率放大器和开关电路，要求集电极电流最大为500mA，集电极电压最大为80V。

该数据表格列出了 FSB619 的绝对最大额定值、热特性、小信号特性等信息，该器件为 NPN 低饱和电晶体，具有高电流增益和低饱和电压，集电极电流可达 3A 连续。

FMBM5551 NPN General Purpose Amplifier是Fairchild Semiconductor Corporation推出的一款双管NPN晶体管，其最大功耗为350mW，最大集电极-发射极电压为160V，最大集电极-基极电压为180V，最大发射极-基极电压为6V，最大集电极电流为600mA。

FMBM5401 PNP General Purpose Amplifier是Fairchild Semiconductor Corporation的一款产品，最大集电极-发射极电压为-150 V，最大集电极-基极电压为-160 V，最大发射极-基极电压为-5.0 V，最大集电流为-600 mA，工作温度范围为-55 ~ 150 °C。

FMBA14是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN多芯片达林顿晶体管，其最大集电极-发射极电压为30V，最大集电极-基极电压为30V，最大发射极-基极电压为10V，最大集电极电流为1.2A，工作温度范围为-55至+150°C。

该文件是FMB100的规格书，介绍了该产品的特性和参数

FJX1182是Fairchild Semiconductor Corporation生产的低频功率放大器，其最大集电极-基极电压为-35V，最大集电极-发射极电压为-30V，最大发射极-基极电压为-5V，最大集电流为-500mA，最大集电极功耗为150mW，最大结温为150°C，存储温度范围为-55~150°C。

该文档介绍了FJV1845 NPN外延硅晶体管的绝对最大额定值和电气特性。该晶体管具有高达120V的集电极-基极电压和集电极-发射极电压，最大集电极电流为50mA。此外，该晶体管具有高增益和低饱和电压。

这是FFB5551的数据表

KST5551是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款NPN型硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为160伏，最大集电极电流为600毫安，最大功率耗散为350毫瓦。