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更新: 28 September, 2023
本文介绍了如何通过优化设计铜贴，以改善SuperSOTTM-6 Power MOSFET的功率性能。通过使用文中建议的热解决方案，用户可以充分利用Fairchild Semiconductor最新一代Power MOSFET的卓越性能特点，包括极低的导通电阻和改进的结-壳（RθJC）热阻。最终用户可以实现改善器件性能和提高电路板的集成密度。
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MD5: 0B7288D708F79A4682283E4415136531
发布时间: 12 July, 2012
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连接: FAIRCHILD AN1026 Maximum Power Enhancement Techniques for SuperSOT -6 Power MOSFETs 数据手册 PDF