DYTRAN 3030B51H Data Sheet 该文件介绍了一款型号为3030B5H的MINIATURE SIZE振动加速度计的特点和特性，包括灵敏度、频率响应、时间常数、工作温度等。该产品具有卓越的线性度和密封性能，适用于高温环境下的运行。
FAIRCHILD FDN342P 说明书 (1) FDN342P是鼎好的一种产品，它是一种高压、低漏电流的N沟道MOSFET。该产品的最大漏源电压为-20伏，最大栅源电压为±12伏，最大漏电流为-2安培。该产品的功耗为0.5瓦，工作温度范围为-55到+150摄氏度。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低压低通道MOSFET，具有极低的导通电阻和高功率处理能力，适用于笔记本电脑电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN352AP Single P-Channel, PowerTrench MOSFET 说明书(1) FDN352AP是Fairchild Semiconductor生产的一种低功耗P沟道逻辑级MOSFET器件。该器件采用先进的PowerTrench工艺，具有极低的导通电阻和低的栅极电荷，适用于电池供电应用。
FAIRCHILD FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET 说明书(1)(1) FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrenchTM MOSFET，是一种采用 Fairchild 先进 PowerTrench 工艺生产的 N 沟道逻辑级 MOSFET，它特别定制以最小化开关状态电阻并保持卓越的开关性能。该器件非常适合低压和电池供电应用，在这些应用中，需要低线损和快速开关。
FAIRCHILD FDN359BN N-Channel Logic Level PowerTrench TM MOSFET 说明书(1) FDN359BN是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，其最大额定电压为30V，最大额定电流为2.7A。
FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书 (1) FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑级MOSFET，采用PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关、电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDN361AN N-Channel, Logic Level, PowerTrench 说明书(1) FDN361AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N沟道逻辑电平MOSFET，采用了PowerTrench工艺，具有低导通电阻和低栅极电荷的特点，适用于DC/DC转换器、负载开关和电机驱动等应用。
FAIRCHILD FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN361BN是Fairchild Semiconductor推出的一款低压应用的N沟道逻辑级功率MOSFET，其最大电压为30V，额定电流为1.8A。该器件具有低RDS(ON)、低门极电荷、小封装等特点，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA卡等低压应用场合。
FAIRCHILD FDN361BN 30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文档介绍了FDN361BN型号的30V N-Channel, Logic Level, PowerTrench® MOSFET产品的特点和特性，适用于低压应用领域，具有快速开关和低功耗的特点。
FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FDN371N是Fairchild公司生产的20V N通道MOSFET器件，采用Fairchild公司高压PowerTrench工艺，应用于负载开关、电池保护、电源管理等场合。
FAIRCHILD FDN371N 20V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了一款20V N-通道功率MOSFET，使用了Fairchild的高压PowerTrench工艺，优化用于功率管理应用。其特点包括2.5A，20V的漏极-源极电阻为50mΩ，低栅电荷，快速开关速度以及极低的漏极-源极电阻。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1)(1) FND5618P是Fairchild生产的60V P通道MOSFET，该器件具有极低的RDS(ON)，快速的开关速度，适用于DC-DC转换器、负载开关和电源管理等应用。
FAIRCHILD FDN5618P 60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文件介绍了一种60V P-Channel Logic Level PowerTrench MOSFET产品，具有高压PowerTrench工艺，适用于功率管理应用。其特点包括：-1.25 A, –60 V的漏源电阻，快速开关速度，极低漏源电阻。
FAIRCHILD FDN5630 60V N-Channel PowerTrench MOSFET 说明书(1) 该文档介绍了FDN5630型号的N-通道MOSFET，该MOSFET具有低RDS(ON)，适用于高频率的DC/DC转换器，具有较快的开关速度和较高的整体效率。
