S6A0092 80 SEG / 26 COM DRIVER & CONTROLLER FOR STN LCD 该文档介绍了S6A0092型号的80 COM / 26 COM 驱动和控制器的特点和特性。
wte S5A – S5M Pb 5.0A SURFACE MOUNT GLASS PASSIVATED STANDARD DIODE S5A – S5M 是 Won-Top Electronics 生产的一款 5.0A 表面安装玻璃钝化标准二极管，具有低压降、低功耗、内置应变释放、塑料外壳等特点
SPANSION S29GLxxxM MirrorBit TM Flash Family S29GL256M, S29GL128M, S29GL064M, S29GL032M 256 Megabit, 128 Megabit, 64 Megabit, and 32Megabit, 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 0.23 um M 该文档介绍了S29GLxxxM MirrorBit TM Flash Family系列产品的特点和特性，包括单电源操作、0.23um MirrorBit工艺技术、SecSi™安全区域、灵活的扇区架构等。
DALLAS DS1345Y/AB 说明书 DS1345 1024k 非易失性 SRAM 具有 1,048,576 位，完全静态，非易失性 SRAM，组织为 131,072 个字节，由 8 位组成。每个 NV SRAM 都有一个自包含的锂能量源和控制电路，该电路会不断监视 VCC 以检测电源故障，并在 VCC 重新上电期间将处理器保持在复位状态。
DALLAS DS1245Y/AB 说明书 该DS1245Y/AB 1024k Nonvolatile SRAM 具有10年以上的数据保留时间，并且在掉电时可自动保护数据。它可以替代128k x 8的易失性静态RAM、EEPROM或闪存，具有无限的写入周期，并且为低功耗CMOS。读取和写入访问时间最快可达70ns。锂能量源在首次供电之前是电气断开的，以保持新鲜度。
Samsung S1T8825B Data Sheet S1T8825B是一款高性能的双频率合成器，具有两个集成的高频率预分频器，可在1.3 GHz的射频操作下工作。S1T8825B由模数预分频器、无死区PFD、可选择的电荷泵电流、可选择的断电模式电路、锁定检测器输出和环路滤波器的时间常数切换组成。它采用ASP5HB双CMOS工艺制造，可提供表面安装塑料封装的16-TSSOP包装。通过三线接口（CK，DATA，EN）将串行数据传输到S1T8825B。
infineon HYS64D32020[H/G]DL–5–C HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C 200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Modules SO-DIMM DDR SDRAM 该文档介绍了HYS64D32020[H/G]DL–5–C和HYS64D[32020/16000][H/G]DL–6–C型号的200-Pin Small Outline Dual-In-Line Memory Module SO-DIMM DDR SDRAM的特点和特性。
intel 80C186XL/80C188XL 16-BIT HIGH-INTEGRATION EMBEDDED PROCESSORS 80C186XL/80C188XL 16位高集成度嵌入式处理器，低功耗、完全静态版本的80C186/80C188
TOYOCOM TN4-25702(TSX-8A type) Ceramic Seam Weld This document is a datasheet for the TN4-25702 crystal unit. It provides information on the unit's features and specifications, such as its size, frequency tolerance, and temperature range.
SIEMENS 4M x 4-Bit Dynamic RAM Advanced Information HYB5116400BJ -50/-60/-70 HYB5116400BT -50/-60/-70 HYB 5116400BJ/BT 4M x 4-DRAM是一款16MBit动态随机存储器，组织为4194304字节，由4位组成。HYB 5116400BJ/BT采用亚微米CMOS硅栅极工艺技术，以及先进的电路技术，提供内部和系统用户广泛的操作余量。多路复用地址输入允许HYB 5116400BJ/BT采用标准SOJ 26/24或TSOPII-26/24塑料封装，两者均具有300 mil宽度。这些封装提供高系统互连性、高可靠性和成本效益。
TEXAS INSTRUMENTS TMS320LF2407 数据手册(2) 该文档介绍了TMS320LF2407、TMS320LF2406和TMS320LF2402芯片的特点和特性。这些芯片采用高性能静态CMOS技术，具有低功耗设计和高性能。芯片内集成了Flash EEPROM、数据/程序RAM、双访问RAM和单访问RAM等存储器。此外，芯片还具有两个事件管理器模块，用于控制脉冲宽度调制、捕获外部事件等功能。该芯片适用于交流感应电机、无刷直流电机、开关磁阻电机和步进电机控制等多种电机控制应用。
infineon HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM 本文档是关于HYB39S256400D[C/T](L) HYB39S256800D[C/T](L) HYB39S256160D[C/T](L) 256-MBit Synchronous DRAM SDRAM产品的数据手册。
SHARP S102T01/S102T02/S202T01/S202T02 Data Sheet S102T01/S202T01/S102T02/S202T02是松下生产的低高度型固态继电器，特点是没有零交叉电路，可用于交流100V/200V电压控制
ON Semiconductor MMBZ5V6ALT1 Series 数据手册 这是一款可用于ESD保护的24和40瓦峰值功率的齐纳瞬态电压抑制器，采用SOT-23双共阳极齐纳设计，可使用单一封装保护两条独立线路
