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HYB 5116400BJ/BT 4M x 4-DRAM是一款16MBit动态随机存储器，组织为4194304字节，由4位组成。HYB 5116400BJ/BT采用亚微米CMOS硅栅极工艺技术，以及先进的电路技术，提供内部和系统用户广泛的操作余量。多路复用地址输入允许HYB 5116400BJ/BT采用标准SOJ 26/24或TSOPII-26/24塑料封装，两者均具有300 mil宽度。这些封装提供高系统互连性、高可靠性和成本效益。