DIODES MMBZ5221BS - MMBZ5259BS 200mW SURFACE MOUNT ZENER DIODE 该文档介绍了MMBZ5221BS - MMBZ5259BS型号的200mW表面贴装稳压二极管的特点和特性。该产品采用平面芯片结构，具有双独立稳压二极管，适用于自动化组装工艺。
NTE MYLAR/POLYESTER FILM MLR SERIES MLR系列是一种非极化的聚酯薄膜（Mylar）电容器，采用硬环氧树脂涂层材料进行浸渍，以提供出色的防潮保护。这些器件适用于一般的直流应用。
ROHM US6M1 说明书 US6M1 Transistors Rev.B是一种具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装的硅N沟道/ P沟道MOSFET。它适用于电源开关和DC / DC变换器。
MITSUBISHI LASER DIODES ML9XX31 SERIES InGaAsP DFB-LASER DIODE WITH EA MODULATOR ML9XX31系列是三菱（Mitsubishi）生产的DFB（分布反馈）激光二极管与单片集成的EA调制器，适用于10Gbps或2.5Gbps应用（单通道/DWDM），可提供1530nm到1565nm波长，间隔0.8nm。ML9SM31采用芯片载体封装。
MITSUBISHI ML9XX11,ML9XX16,ML9XX22 SERIES Data Sheet ML9XX11, ML9XX16 和 ML9XX22 系列是 DFB (Distributed Feedback) 激光二极管，发射波长为 1470 至 1610 纳米的光束。它们非常适合粗波分复用 (Coarse WDM) 的长距离数字传输应用中的光源。它们是密封的设备，带有光电二极管用于光输出监控。
ROHM US5U1 Data Sheet US5U1 Nch+SBD MOSFET是安森美半导体推出的一款低压驱动MOSFET器件，具有高开关速度、低导通电阻、低压驱动、内置低VF肖特基二极管等特点，适用于开关电源应用。
ROHM US5U2 Data Sheet 该文件介绍了US5U2 Transistors Rev.B 1/4 4V Drive Nch+SBD MOSFET的特点和特性，包括高速开关、低导通电阻、4V驱动和内置低VF肖特基二极管。
OKI ML7000-01/02/03 ML7001-01/02/03 ML7000-01/02/03和ML7001-01/02/03是单通道CMOS CODEC LSI器件，用于300至3400 Hz的语音信号，带有A/D和D/A转换的滤波器。
