工业器械说明书 - 第3235页

ROHM SH8M70 数据手册

该文件介绍了ROHM公司的10V驱动Nch+Pch MOSFET SH8M70，包括产品的结构、尺寸、特点和应用。产品具有低导通电阻、内置G-S保护二极管和小型表面贴装封装等特点，适用于电源开关和DC/DC转换器。

SP8K80是ROHM的一款N沟道MOSFET，最大工作电压为500V，最大工作电流为0.5A，具有体内保护二极管和小型表面安装封装（SOP8）。

US6T4晶体管是罗姆半导体推出的一款低频放大器驱动器，其特点是集电极电流较大，集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))最大可达-250mV。

82C54是Intersil生产的一种高性能CMOS可编程定时器，采用先进的2微米CMOS工艺制造。

US6T5是一款低频放大器，特点是具有较大的集电极电流和低的集电极-发射极饱和电压

MPC561/MPC562 / MPC563/MPC564是Motorola MPC500 RISC微控制器系列的成员，具有高性能CPU系统、可编程引脚复用、闪存和代码压缩选项等特点。

该文件介绍了US6T6型号晶体管的特点和特性，主要用途是低频放大器和驱动器。该型号晶体管具有较大的集电流和低的集电极饱和电压。

该文件是关于US6T7晶体管的说明。US6T7是一款低频放大器，适用于驱动低频放大器。其特点是集电流较大，并且在IC = -1A / IB = -50mA条件下，VCE（sat）的最大值为-370mV。

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US6X4是一款低频放大器，最大集电极电流为2A。

US6X5 是 ROHM 公司生产的一款低频功率晶体管，其最大集电极电流可以达到 2A，最小饱和压降可以达到 370mV。

该文档介绍了US6X6 Transistors Rev.B 1/2低频放大器的特点和特性，包括大的集电流、最大350mV的饱和电压等。

该文件介绍了ROHM Co., Ltd.的4V Drive Pch MOSFET UM6J1N的特点和特性，包括两个RSU002P03晶体管在单个UMT封装中的独立性、减少安装成本和面积等。

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UM6K34N是一款低成本、低功耗的Nch+Nch MOSFET，适用于便携式设备。