工业器械 - 第2980页

IDT70V27S/L是IDT公司生产的一种双端口存储器，具有高速度访问、低功耗、分离的上、下字节控制、双芯片使能、总线宽度扩展、忙标志和中断标志、端口仲裁逻辑、信号灯逻辑、全异步操作等特点。

这份文件是Integrated Device Technology, Inc. 公司于2003年11月发布的DSC-5632/3的功能块图，包括忙和中断标志、片上端口仲裁逻辑、端口之间信号灯完全硬件支持、端口完全异步操作、独立字节控制、双端口存储单元、高性能和高可靠性等特性。

IDT6116SA/LA是IDT公司生产的高性能静态随机存储器，采用CMOS工艺制造，具有快速访问和低功耗特性。该产品具有军用和商业温度范围，并符合MIL-STD-833，Class B标准。

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ICS85356I 2:1, 差分到3.3V双LVPECL / ECL时钟多路复用器是一款高速差分多路复用器。该器件可以配置为2:1多路复用器。双3.3V LVPECL输出。可选择差分CLKxx、nCLKxx输入。CLKxx、nCLKxx对可以接受以下输入类型：LVPECL、LVDS、LVHSTL、SSTL和HCSL。ICS85356I可以因此用作差分转换器，将几乎任何差分输入类型转换为LVPECL。它还可以通过将VCC设置为0V并将VEE设置为-3.0V至-3.8V来在ECL模式下使用。ICS85356I对输入时钟添加了可忽略的抖动，并且可以以高于900MHz的高频率运行，因此非常适合用于如SONET、Fibre Channel、1千兆/10千兆以太网等苛刻的应用。

ISOCOM ICPL4502是高速度光电耦合器，使用发光二极管和集成光电探测器，提供2500V RMS电气隔离。

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ICL3207E, ICL3217E +/- 15kV ESD Protected, +3V to +5.5V, Low Power, 250kbps, RS-232 Transmitters/Receivers

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该数据表提供了IC41C4405x和IC41LV4405x系列动态随机存储器的技术细节。该系列器件具有4Mx4位高性能CMOS动态随机存储器。该器件支持快速页模式，允许在单行内进行2048或4096次随机访问，每个4位字的访问周期时间最短为20ns。

这是一篇关于Renesas Technology Corp.的产品的使用说明书。

REJ03G0185-0100Z 是一款低漏电、低齐纳阻抗、最大功耗 400 mW 的齐纳二极管，非常适合稳定电源等应用。该产品的齐纳电压范围从 1.88 V 到 38.52 V，可灵活应用。

32Kx8辐射硬化ROM是一款高性能32768字x8位只读存储器，具有行业标准功能。它采用霍尼韦尔的辐射硬化技术制造，专为在辐射环境中运行的系统而设计。ROM可在整个军用温度范围内工作，仅需单一5V ± 10%电源。ROM可提供TTL或CMOS兼容I/O。在正常运行时，功耗通常低于15 mW/MHz，在未选中时低于5 mW。ROM操作是完全异步的，其典型访问时间为14ns。霍尼韦尔增强的SOI RICMOS™IV（辐射不敏感CMOS）技术通过使用先进和专有的设计、布局和工艺硬化技术进行了辐射硬化。RICMOS™IV工艺是一项5伏特、SIMOX CMOS工艺，具有150Å栅氧化物和0.75µm（0.6µm有效栅长——Leff）的最小绘制特征尺寸。其他功能包括钨通孔、霍尼韦尔专有的SHARP平面化工艺以及轻掺杂漏极（LDD）结构，以提高短沟道可靠性。