工业器械 - 第2979页

该数据表为 PD - 90396G HEXFET® MOSFET 的绝对最大额定值，包括连续漏极电流、脉冲漏极电流、最大功率耗散、线性降额因子、栅极-源极电压、单脉冲雪崩能量、雪崩电流、重复雪崩能量、峰值二极管恢复dv/dt、工作结温、存储温度范围、引线温度、重量等参数。

该文件描述了某个产品的特点和特性。

IXFK/IXFN系列是IXYS公司的一款N沟道增强型雪崩额定，高dv/dt，低trr功率MOSFET。该产品具有国际标准封装，UL 94 V-0 阻燃等级，SOT-227B miniBLOC铝氮化物绝缘，低RDS(on) HDMOSTM工艺，无钳位感性开关(UIS)额定，快速固有整流器等特点。可应用于DC-DC转换器、同步整流、电池充电器、开关模式和谐振模式电源、DC斩波器、温度和照明控制等场合。

ISL9007是ISL高性能LDO系列产品之一，提供400mA连续输出电流，输出电压精度为±1.8%（温度、线路和负载），具有很高的PSRR（75dB @ 1kHz），输出噪声小于30µVrms。静态电流为50µA（典型值），关断电流为1µA（最大值），适用于便携式无线设备。

ISL8308XE是BiCMOS，ESD保护，5V供电，单个收发器，符合RS-485和RS-422标准，用于平衡通信。每个驱动器输出和接收器输入都受到±15kV ESD击穿保护，不发生锁存。与竞争对手的产品不同，Intersil系列产品针对10%的容差电源（4.5V至5.5V）进行了规范。这些器件具有非常低的总线电流（+125µA/-75µA），因此它们向RS-485总线呈现出真正的“1/8单元负载”。这允许在网络上最多连接256个收发器，而不违反RS-485规范的32单元负载最大值，并且不需要使用中继器。例如，在远程公用事业计量器读数系统中，单个计量器读数是通过RS-485网络路由到集线器的，所以允许的节点数高，可以最小化所需的中继器数量。然后，通过单个访问端口或无线链接从集中器读取所有仪表的数据。接收器（Rx）输入采用“全故障安全”设计，如果Rx输入处于浮空、短路或终结但未驱动状态，则确保逻辑高Rx输出。ISL83080E、ISL83082E、ISL83083E和ISL83085E使用速率受限驱动器，可降低EMI，并最小化来自错误终止的传输线或多点应用中的未终止存根的反射。速率受限驱动器还可防止在发送器关闭后在RS-485线路上发生过冲。

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ISL6523A是ISL公司生产的一款电源控制器芯片，该芯片集成了两个PWM控制器和两个线性控制器，以及监控和保护功能，主要用于高性能微处理器和计算机应用中。ISL6523A可以为四路输出电压提供电源控制和保护，其中一个PWM控制器通过同步整流降压转换器来调节微处理器核心电压，第二个PWM控制器通过标准降压转换器来为计算机系统的AGTL+ 1.2V总线供电，线性控制器则用于调节1.5V AGP总线和1.8V的芯片组核心电压和/或缓存存储电路的电源。ISL6523A还包括一个兼容英特尔VRM8.5的TTL 5输入数字-模拟转换器（DAC），用于调整微处理器核心目标的PWM输出电压，从1.050V到1.825V，步进25mV。精密参考和电压模式控制可提供±1%的静态调节。第二个PWM控制器的输出提供1.2V的电压水平，精度为±3%。线性调节器使用外部N通道MOSFET或双极NPN开关晶体管来提供固定的输出电压1.5V ±3%（VOUT3）和1.8V ±3%（VOUT4）。ISL6523A监控所有输出电压。在核心PWM开始增益之前，会发出一个延迟升高的VTT（标准降压输出）电源良好信号。当核心处于DAC设置的±10%范围内并且所有输出电压都正常时，还会发出另一个系统电源良好信号。

这份PDF文件介绍了Murata公司的IRA系列红外传感器的产品信息，包括型号、尺寸、工作温度范围、应用场景等。

IPB06N03LA IPI06N03LA, IPP06N03LA OptiMOS®2 Power-Transistor 是德州仪器的产品，具有很低的导通电阻、优异的热阻等特点。

该文档介绍了Semelab公司的IP1R17A和IP3R17A型号的固定负电压稳压器的特点和特性，包括线性调节、负载调节、输出精度等特性。

该文档介绍了IDT公司的产品特点和特性，包括高性能64位微处理器、单双精度浮点运算单元、高速缓存、灵活的总线接口等。

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这份文件介绍了Integrated Device Technology, Inc.公司的FIFO双口存储器的特点和特性，包括64 x 4或64 x 5的组织结构、低功耗、高速数据通信应用等。

该文件介绍了IDT72261LA和IDT72271LA两款CMOS SuperSync FIFO的特点和特性，包括内存组织、读写周期时间、数据延迟时间、低功耗模式、复位功能、数据状态标志等。

IDT71V3577/79 是高性能 SRAM ，组织为 128K x 36/256K x 18。IDT71V3577/79 SRAM 包含写入、数据、地址和控制寄存器。数据输出路径中没有寄存器（流式架构）。内部逻辑允许 SRAM 根据一个可以延迟到写入周期结束的决策生成自定时写入。突发模式功能为系统设计人员提供了最高的性能水平，因为 IDT71V3577/79 可以为向 SRAM 提供的单个地址提供四个数据周期。内部突发地址计数器在突发模式下跟踪地址，以便在突发期间将数据提供给系统。