工业器械 - 第2976页

M50FW040 4 Mbit (512Kb x8, Uniform Block) 3V Supply Firmware Hub Flash Memory 是东芝公司的产品，其特点是供电电压为VCC = 3V to 3.6V，支持程序、擦除和读取操作，支持12V的快速擦除，具有两个接口，分别是Firmware Hub (FWH) Interface和Address/Address Multiplexed (A/A Mux) Interface，支持读写操作，支持硬件写保护和基于寄存器的读写保护，同时有5个额外的通用输入，以便在平台设计中更加灵活，并且与33MHz PCI 时钟同步，编程时间为10µs，具有8个统一的64 Kbyte 内存块，支持嵌入式字节编程和块擦除算法，同时还有状态寄存器位。

M494是SGS-THOMSON制造的单片LSI集成电路，采用EPM2工艺；N沟道Planox双多晶MOS工艺，可以包含浮动栅NV存储单元（EEPROM）。该i.c.已被设计为基于电压合成原理而完全的数字电视调谐系统，用以替换所有传统的调谐器。

M48Z58/58Y ZEROPOWER® RAM是一款8K x 8非易失性静态RAM，它在单个晶片上集成了电源故障选择电路和电池控制逻辑。该单片芯片采用两种特殊封装，可提供高度集成的备有电池的存储器解决方案。

M470L1624FT0-C(L)B3/A2/B0 是三星推出的一款 128MB 的 DDR SDRAM SODIMM 内存条，它使用 256Mb F-die 芯片，支持 64 位和 72 位数据宽度，频率为 133MHz 和 166MHz，时序为 2.5-3-3 和 2.5-3-3。

ITT Cannon 1.6/5.6 RF 同轴连接器适用于75欧姆通信系统

M36W832TE, M36W832BE是32 Mbit (2 Mb x16, Boot Block) Flash Memory和8 Mbit (512Kb x16) SRAM的组合产品。

Samsung M366S1723DTS PC133/PC100 Unbuffered DIMM 是一款16M 位 x 64 同步动态随机存储器高密度内存模块。

该文档介绍了M29W320DT/DB产品的特点特性，包括供电电压、访问时间、编程时间、存储块、编程/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、解锁绕过编程命令、VPP/WP引脚、临时块解保护模式、通用闪存接口、低功耗、100,000次编程/擦除周期等

该文档介绍了M29F016B 16 Mbit (2Mb x8, Uniform Block) Single Supply Flash Memory的特点和特性，包括单一供电电压、访问时间、编程时间、内存块、程序/擦除控制器、擦除暂停和恢复模式、临时块解锁模式、解锁旁路编程命令、低功耗、寿命、电子签名等。

M29F002BT, M29F002BNT M29F002BB, M29F002BNB 2 Mbit (256Kb x8, Boot Block) Single Supply Flash Memory I SINGLE 5V ± 10% SUPPLY VOLTAGE for PROGRAM, ERASE and READ OPERATIONS I ACCESS TIME: 45 ns I PROGRAMMING TIME – 8 µs by Byte typical I 7 MEMORY BLOCKS – 1 Boot Block (Top or Bottom Location) – 2 Parameter and 4 Main Blocks I PROGRAM/ERASE CONTROLLER – Embedded Byte Program algorithm – Embedded Multi-Block/Chip Erase algorithm – Status Register Polling and Toggle Bits I ERASE SUSPEND and RESUME MODES – Read and Program another Block during Erase Suspend I UNLOCK BYPASS PROGRAM COMMAND – Faster Production/Batch Programming I TEMPORARY BLOCK UNPROTECTION MODE I LOW POWER CONSUMPTION – Standby and Automatic Standby I 100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per BLOCK I 20 YEARS DATA RETENTION – Defectivity below 1 ppm/year I ELECTRONIC SIGNATURE – Manufacturer Code: 20h – Top Device Code M29F002BT: B0h – Top Device Code M29F002BNT: B0h – Bottom Device Code M29F002BB: 34h – Bottom Device Code M29F002BNB: 34h

M29F160BT和M29F160BB是两款单电源闪存，可在5V±10%电压下进行编程、擦除和读取操作。它们具有55ns的访问时间，8微秒的字节/字编程时间，35个存储块（1个引导块（顶部或底部位置）和2个参数和32个主块），内置的字节/字编程算法、内置的多块/芯片擦除算法、状态寄存器轮询和切换位、就绪/忙输出引脚、擦除暂停和恢复模式、读取和编程另一个块期间的擦除暂停、解锁旁路编程命令、更快的生产/批量编程、临时块解保护模式、待机和自动待机、100,000个块编程/擦除周期、20年数据保留（缺陷率低于1 ppm/年）和电子签名（制造商代码：0020h，顶部设备代码M29F160BT：22CCh，底部设备代码M29F160BB：224Bh）。

M27C801是一款8 Mbit UV EPROM和OTP EPROM，供电电压为5V ± 10%，读取操作时的访问时间为45ns。它具有低功耗、编程电压为12.75V ± 0.25V、编程时间为50µs/word等特点。

M27C4001是一款4Mbit EPROM，提供UV（紫外线擦除）和OTP（一次可编程）两种范围，非常适合需要大程序的微处理器系统。

LTC2404/LTC2408 4-/8-通道 24 位 µPower 无延迟 ∆ΣTM ADC，集成振荡器，4ppm INL 和 0.3ppm RMS 噪声。他们使用 delta-sigma 技术并为多路复用应用提供单周期数字滤波器设置时间（无延迟延迟）。更改通道后进行的第一次转换始终有效。通过单个引脚，LTC2404/LTC2408 可以配置为在 50Hz 或 60Hz ±2% 时获得超过 110dB 的拒绝，或者可以由外部振荡器驱动以实现用户定义的拒绝频率，该频率范围为 1Hz 至 120Hz。内部振荡器不需要外部频率设置组件。转换器接受任何外部参考电压，从 0.1V 到 VCC。凭借其 -12.5% VREF 至 112.5% VREF 的扩展输入转换范围，LTC2404/LTC2408 可平稳解决先前的传感器或信号调理电路的偏移和过范围问题。LTC2404/LTC2408 通过与 SPI 和 MICROWIRE TM 协议兼容的灵活 4 线数字接口进行通信。

该数据手册提供了LTC2293/LTC2292/LTC2291的详细信息，包括产品特点、应用、典型应用、规格、封装等。