工业器械说明书 - 第2570页

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF8-28S 数据手册

该文件介绍了ASI HF8-28S型号的特点和特性，包括电压和电流等参数。该产品具有高功率、低失真等特点。

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF10-12F 数据手册

ASI HF10-12F是NPN硅RF功率晶体管，最大电流为4.5 A，最大电压为36 V和18 V，最大功率为80 W。它具有20 dB min. at 10 W/30 MHz的PG和-30 dBc max. at 10 W(PEP)的IMD3。

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF5-12S 数据手册

HF5-12S是ASI公司生产的一款NPN硅RF功率晶体管，具有PG = 20 dB min. at 5 W/30 MHz和IMD3 = -30 dBc max. at 5 W(PEP)等特点

Winbond WMS7120 / 7121 PRELIMINARY DATASHEET

该文件是关于WMS7120 / 7121非易失性数字电位器的数据手册，该电位器具有Up / Down (3-wire)接口，10KOhm，50KOhm，100KOhm阻抗和64个触点，带/不带输出缓冲器。

Agilent Determination of low levels of arsenic using flame AAS and UltrAA lamps 说明书

该产品可以快速检测矿石中的砷含量，该技术通过使用Agilent UltrAA 灯实现，使砷可以与高含量的其他基础金属一起通过火焰进行检测，无需单独提取砷或使用不同的检测技术。

Agilent Sensitivity enhancement for flame atomic absorption spectrometry using an atom concentrator tube, the ACT-80 说明书

本文介绍了一种简单的附件，用于增强火焰原子吸收光谱法（FAAS）的灵敏度，并附有一些性能结果和实际应用。同时还对历史回顾进行了介绍。

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR HF5-12F 数据手册

该文档介绍了ASI HF5-12F型号的NPN硅射频功率晶体管的特性和参数。

Agilent Flame AAS Sensitivity Enhancement Using an Atom Concentrator Tube Application Note 说明书

论文介绍了一种使用带槽管的火焰原子吸收光谱法检测有机溶液中元素的方法，该方法可以增强灵敏度和检测极限。

Agilent Performance of slide-on Attenuated Total Reflectance accessories - FT-IR Microscopy 说明书

该文件介绍了全反射微弱光谱分析技术(ATR)的原理和应用。ATR技术通过将样品直接与具有比样品折射率高得多的晶体接触，实现光的全内反射，从而简化了样品制备过程。本文通过对涂覆阿司匹林样品进行多次光谱收集，证明了ATR技术的可重复性和晶体对样品的无破坏性。

NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR FMB175 数据手册

该文件是关于Advanced Semiconductor公司的FMB175 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR的规格说明。该产品具有65V的BVCO、36V的VCEO、4.0V的VEBO和20A的IC等特点。

Agilent Determination of mercury in blood and urine by Cold Vapor AAS using the VGA-77 说明书

该文件介绍了使用VGA 77进行血液和尿液中汞的冷蒸汽原子吸收光谱（AAS）测定的方法。数据展示了VGA 77在这些溶液中测定汞的性能。根据接触到的汞类物质，可能会出现各种临床表现的汞中毒。吸入元素汞会导致肺部、中枢神经系统和肾脏损伤。中枢神经系统损伤会产生一系列行为和神经功能缺陷。摄入无机汞可能会由于其腐蚀性质而产生严重的胃肠道损伤，这比汞暴露更具有临床意义。一旦吸收，无机汞会在肾脏中积聚并可能导致近曲小管坏死。接触甲基汞等有机汞类物质主要产生中枢神经系统效应，通常严重，包括昏迷和死亡。有机汞类物质可以穿过胎盘影响未出生的儿童，导致产后脑瘫。有机汞类物质通常通过无机汞盐的甲基化在食物链中出现。

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