ASI OSC-0.3C 数据手册 这是一份产品手册，介绍了ASI OSC-0.3C产品的特点和特性。这款产品是一款NPN硅射频功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统，最大电流225mA，最大电压25V，最大功率5.0W。
SHARP SM6004/SM6006 DATA SHEET SM6004/SM6006 是 16 位单片微型计算机，具有 61,440 × 8 位 ROM 容量、2,048 × 8 位 RAM 容量、外部存储器扩展功能，可以进行高速乘除法运算。
ASI OSC-0.7L 数据手册 ASI OSC-0.7L is a NPN silicon RF power transistor with a maximum power dissipation of 7.0 W and a maximum collector-emitter voltage of 40 V. It features an Omnigold™ metalization system and is available in a TO-46 package.
ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册(1) TVU0.5是一款NPN硅RF功率晶体管，其最大电流为2.0A，最大电压为45V，最大电压为25V，最大电压为3.5V，最大输出功率为31.8W。
ASI TVU0.5 NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 这是一份关于ASI TVU0.5A NPN硅射频功率晶体管的规格说明书。该晶体管具有BVCBO、BVCEO、BVEBO、ICBO、hFE、PG IMD1等特性参数，并且采用了Omnigold™ Metalization System。该晶体管适用于射频功率放大器等应用。
ASI TVU0.5B NPN SILICON RF POWER TRANSISTOR 数据手册 ASI TVU0.5B是NPN硅RF功率晶体管，具有Omnigold™金属化系统、最大电流2.0 A、最大电压45 V、最大功率31.8 W
SEMTECH SK10/100EL11W DATA SHEET SK10/100EL11W是MC10/100EL11和MC100LVEL11的完全兼容器件，采用独特的三端输出，输出转换时间比EL11快，在要求极致AC性能的应用中具有理想的应用。
Vishay SPICE Device Model Si9936BDY Dual N-Channel 30-V (D-S) MOSFET 数据手册 该文档是一份SPICE设备模型指南，介绍了Si9936BDY型号的特点和特性。该模型适用于线性和开关应用，精确度高，在-55到125°C的温度范围内有效。模型参数经过优化，提供了最佳的拟合测量数据的结果。
Vishay Si4473DY P-Channel 14-V (D-S) MOSFET 数据手册 Si4473DY是Vishay Siliconix公司生产的一款P通道MOSFET，最大工作电压为14V，典型开关损耗为0.016欧姆，最大工作温度为150℃。
