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FCP190N60 / FCPF190N60 N-Channel MOSFET 是一款由美国飞利浦半导体公司生产的 600V N 沟道 MOSFET 器件，其最大漏源电压为 600V，最大栅源电压为 ±20V。该器件的额定漏源电流为 20.2A，在 100°C 工作时最大漏源电流为 12.7A。该器件支持脉冲工作，最大脉冲漏源电流可达 60.6A。该器件还支持雪崩击穿，最大雪崩能量为 400mJ，最大雪崩电流为 4A。