Alliance Semiconducto ASM1810 Low Power, 5V µP Reset - Active LOW, Push-Pull Output 数据手册 该文档是关于ASM1810产品的介绍，介绍了产品的特点特性，如低功耗、5V µP 复位、推挽输出等。
FARICHILD FQP16N25C/FQPF16N25C 250V N-Channel MOSFET 数据手册 这份文档介绍了FQP16N25C/FQPF16N25C型号的N沟道增强型功率场效应晶体管的特点和特性，采用了Fairchild公司自有的平面条纹DMOS技术。该器件具有低导通电阻、优异的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲的能力。它非常适用于高效率开关DC/DC转换器、开关电源、无间断电源和电机控制等应用。
APLUS ASM17012CB 数据手册 ASM17012CB是一款低成本的语音合成器，具有4位微处理器、ALU、ROM、RAM、I/O端口、定时器、时钟发生器、看门狗定时器(WDT)、语音合成器等功能。
FAIRCHILD FQPF19N10 100V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF19N10是一款100V N沟道MOSFET，它采用Fairchild的专有平面条纹DMOS技术，具有低导通电阻、高开关性能和高能脉冲承受能力。适用于音频放大器、高效率开关DC/DC转换器和DC电机控制等低压应用。
FAIRCHILD FQPF20N06 60V N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF20N06是一款60V N通道MOSFET，采用Fairchild的DMOS技术生产，具有低导通电阻、优异的开关性能和高能脉冲承受能力。适用于汽车、DC/DC转换器等低电压应用，以及便携式和电池供电产品的高效率电源管理。
FAIRCHILD FQPF20N06L 60V LOGIC N-Channel MOSFET 数据手册 FQPF20N06L是一种60V逻辑N沟道MOSFET。它具有15.7A的最大电流、0.055Ω的RDS(on)和低门控电荷，非常适合低压应用。
FAIRCHILD FQPF22P10 说明书 FQPF22P10是Fairchild制造的一种100V P通道MOSFET，具有低导通电阻、高开关性能、高能量脉冲承受能力、低栅极电荷、低Crss、快速开关、100% 雪崩测试、改进的dv/dt能力和175°C最大结温等特点。
FAIRCHILD FQPF27P06 说明书 FQPF27P06 是一款 60V P 通道 MOSFET，它具有低门极电荷、低 Crss 和快速开关特性。它适用于低电压应用，如汽车、DC/DC 转换器和便携式电池供电产品中的功率管理的高效率开关。
FAIRCHILD FQPF2N70 说明书 这份文件介绍了FQPF2N70 QFET TM FQPF2N70 700V N-Channel MOSFET的特点特性，包括低导通电阻、优异的开关性能、高能量脉冲下的抗击穿和换向能力等。适用于高效率开关电源。
FAIRCHILD FQPF2N80 说明书 FQPF2N80是Fairchild生产的一款800V N通道MOSFET，其特点是：1.5A，800V，RDS（on）= 6.3Ω @VGS = 10 V，低栅极电荷（典型值为12 nC），低Crss（典型值为5.5 pF），快速开关，100％雪崩测试，改进的dv/dt能力。
