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RT8800/B是Richtek的多相同步降压控制器，专为高密度电源供电而设计。该器件可以实现2, 3个buck开关级，开关级以自动设置的交错相位工作。输出电压按照FB引脚的输入电压进行调节和控制。这种单一模拟控制方式为各种高密度电源应用提供了简单、灵活、宽范围和极具成本效益的高密度电压调节解决方案。RT8800/B的多相架构可在保持功率器件和输入、输出电容低功耗的同时提供高输出电流。高等效工作频率还可降低组件尺寸和负载瞬态中的输出电压纹波。RT8800/B同时实现电压环和电流环，可实现良好的调节、响应和功率级热平衡。RT8800/B还采用了新型的共享DCR电流检测技术；利用这种拓扑结构，RT8800/B将输出电感的DCR作为检测元件，以提供更精确的负载线调节和更好的热平衡能力。此外，该器件还监控输出电压以进行过电流和过电压保护；还提供了可编程欠压关断功能，以确保安全可靠的操作。

RT9161/A是300/500mA固定输出电压低压降线性稳压器。典型的地线电流约为110μA，从零到最大负载条件。可用的输出电压范围广，适合大多数应用。内置输出电流限制和最大热限值可在任何故障条件下提供最大保护。为简化应用，RT9161/A提供流行的3针SOT-23（300mA）、SOT-89（300mA）、SOT-223（500mA）或TO-92封装。应用范围包括LAN卡、CD-ROM和DVD的电压调节器、无线通信系统和电池供电系统。

这份文件介绍了Fairchild半导体公司生产的双P-Channel Enhancement Mode Power Field Effect Transistors。该产品采用Fairchild的专有Trench技术生产，具有很高的密度，旨在最小化导通电阻，提供坚固可靠的性能和快速开关速度。该产品特别适用于需要低电压、低电流高侧开关的低电压应用。

该文件为NDP6060/NDB6060的特性介绍，介绍了该产品的特点和特性

本文档介绍了NDP7060 / NDB7060 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor的绝对最大额定值、产品特点、技术规格等信息。

NDS0605是Fairchild生产的P通道增强型场效应晶体管，该晶体管具有低RDS(ON)、高密度、高饱和电流等特性，适用于低压低电流应用场景。

NDS0610 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor 是一款电压控制的小信号开关，具有低 RON（on）和高饱和电流。

NDS331N N 通道逻辑级增强模式场效应晶体管是费尔柴德公司生产的高密度、DMOS 技术生产的器件。该器件具有非常低的 RDS(ON)，适用于笔记本电脑、便携式电话、PCMCIA 卡等低压应用中需要快速切换和低线路功耗的应用场合。

NDS332P P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor是Fairchild公司生产的一种低电压应用场效应管，产品具有非常低的开关电阻，适用于笔记本电脑电源管理、便携式产品和消费类电子产品等应用场合。

NDS351AN是Fairchild Semiconductor生产的一款N通道逻辑电平MOSFET，采用PowerTrench技术，具有超低导通电阻、超低栅极电荷和超小封装。

NDS351N是Fairchild的N通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管,采用铜引脚框架的专利封装设计,具有优异的热和电气性能。高密度单元设计,具有极低的RDS(ON)。出色的阻抗和最大直流电流能力。紧凑的行业标准SOT-23表面贴装封装。

NDS352AP P通道逻辑电平增强型功率场效应晶体管产品特性

ASM1815是低功耗3.3V/3.0VµP重置，低压，推拉输出的电压监视器设备。

BC 337 / BC 338 是通用硅NPN晶体管，封装采用TO-92，塑料外壳，UL94V-0 认证。

ASM1812是一种低功耗的5V µP复位器，具有主动高电平、推挽输出功能。其最大供电电流为20µA。ASM1812在监测电源(VCC)电平时发出主动高电平复位信号。容差级别选项为5%、10%和15%。当检测到超出容差范围的条件时，会生成一个内部电源故障信号，强制发出一个主动高电平复位信号。在VCC返回到容差范围内后，复位信号保持活跃150ms，以允许电源和系统微处理器稳定。ASM1812采用推挽输出级设计，适用于扩展工业温度范围。该系列还有TO-92和紧凑型表面贴装SOT-23封装的设备。其他低功耗产品包括ASM1810/11/15/16/17、ASM1233D和ASM1233M。