FAIRCHILD HUF76629D3, HUF76629D3S 说明书 HUF76629D3 和 HUF76629D3S 是 20A、100V、0.054 欧姆、N 沟道、逻辑级 UltraFET® 功率 MOSFET。
FAIRCHILD HUF76639P3, HUF76639S3S 说明书 HUF76639P3, HUF76639S3S是Fairchild Semiconductor Corporation生产的一款50A, 100V, 0.027 Ohm, N-Channel, Logic Level UltraFET® Power MOSFET
FAIRCHILD HUFA75852G3 说明书 HUFA75852G3_F085 是一款75A，150V，0.016 Ohm，N-通道，UltraFET® 功率 MOSFET，采用 JEDEC TO-247 封装。
FAIRCHILD HUFA76429D3, HUFA76429D3S 说明书 该文件介绍了Fairchild Semiconductor Corporation的HUFA76429D3和HUFA76429D3S型号的特点和特性，包括超低导通电阻、模拟模型和温度补偿模型、峰值电流与脉冲宽度曲线、UIS评级曲线以及开关时间与RGS曲线等。
FAIRCHILD IRFM120A 说明书 该文件介绍了IRFM120A产品的特点和特性，包括抗冲击技术，低输入电容，改进的栅极电荷，扩展的安全工作区域，低漏电流等。该产品具有较低的漏电流和导通电阻，适用于IEEE802.3af标准。
FAIRCHILD MTD3055VL 说明书 本报告概述了德国工业4.0框架以及德国实施工业4.0框架的进展。德国工业4.0框架是由德国联邦经济和能源部（BMWi）于2011年12月发布的。该框架由五个主要要素组成：数字基础设施、互联工厂、互联产品、互联服务和互联价值链。德国工业4.0框架的目标是通过将人、机器和数据连接起来，实现更智能、更高效的制造。
FAIRCHILD NDP5060L/NDB5060L 说明书 NDP5060L/NDB5060L是Fairchild生产的逻辑级N通道增强型功率场效应晶体管，采用高密度DMOS技术，具有Rdson极低、开关速度快、承受高能脉冲的能力，适用于低压应用领域。
FAIRCHILD NDP6020P, NDB6020P 说明书 该产品是Fairchild生产的P通道逻辑级增强模式功率场效应晶体管，具有极低的开启电阻、优异的开关性能和承受高能脉冲的能力。该产品适用于低压应用，如汽车、工业、通信、计算机等领域。
FAIRCHILD NDP6030PL/NDB6030PL 说明书 该产品是一款P型逻辑级增强型电源场效应晶体管，具有-30 A、-30 V的额定电流和电压，具有极低的RDS（ON）和175°C的最大结温额定值。
FAIRCHILD NDP6060L/NDB6060L 说明书 该文件是关于NDP6060L/NDB6060L N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor的使用说明书。
