ST STEVAL-ISA038V1 数据手册 该文件是关于STMicroelectronics公司的一款单相5A降压PWM控制器评估板的数据简介。该评估板基于L6728，具有集成的高电流驱动器，可通过使用紧凑的VFQFPN-10封装提供完整的控制逻辑和保护来实现通用DC-DC转换器。该评估板在一个两层PCB上实现了一个降压DC-DC转换器，并展示了在一般低电流应用中该器件的工作。输入电压范围为5V至12V，输出电压固定为1.25V，输出电流可超过5A，开关频率为300kHz。
ST STEVAL-CBP003V1 数据手册 这是一款基于 STLED316S 的 LED 驱动器和控制器评估板，具有 8 段、6 位定制 LED 显示屏、8 段条形图 LED 显示屏、7 个前面板按钮、2 个 LED（绿色表示电源，红色表示中断）、1 个用于调整显示屏亮度的可变电阻、1 个重置开关以重置系统，以及用于使系统自动执行和用户独立的演示模式。
ST STP20NM50FD/STB20NM50FD-1 数据手册 该文档介绍了STP20NM50FD和STB20NM50FD-1型号的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高dv/dt和雪崩能力、低输入电容和门电荷、紧密的工艺控制和高制造良率等特点。建议在桥式拓扑中使用，特别是零电压开关（ZVS）相移变换器。
ST STB20NM50/STB20NM50-1/STP20NM50/STP20NM50FP 数据手册 STB20NM50-1是ST公司生产的一款N沟道MOSFET器件，具有550V@Tjmax的最大电压，0.20Ω的导通电阻，20A的电流，TO220/FP-D²PAK-I²PAK的封装形式。
ST STP20NK50Z/STW20NK50Z 数据手册 STP20NK50Z - STW20NK50Z是ST公司推出的一款N沟道500V - 0.23Ω - 20A TO-220/TO-247 Zener-Protected SuperMESH™Power MOSFET，具有典型RDS(on) = 0.23 Ω、极高dv/dt能力、100% Avalanche测试、最小化栅极电荷、非常低的固有电容和非常好的制造重复性等特点。
ST STP20NE10 数据手册 STP20NE10是SGS-THOMSON公司生产的一款N沟道100V 0.07Ω 20A的TO-220封装STripFET MOSFET。该产品具有典型RDS(on) = 0.07 Ω、卓越dv/dt能力、100%雪崩测试、应用导向的特性描述等特点。
ST STP20NE06L/STP20NE06LFP 数据手册 STP20NE06L是STMicroelectronics公司生产的一款N沟道MOSFET，额定电压为60V，漏极电流为20A，开关时间快，耐压高，工作温度范围广，广泛应用于DC电机控制、DC-DC/DC-AC转换器、同步整流等场合。
ST STP20NE06/STP20NE06FP 数据手册 STP20NE06是STMicroelectronics最新开发的“单特征尺寸”条带工艺。该晶体管表现出极高的封装密度，具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和更少的关键对齐步骤，因此具有可观的制造可重复性。
ST STP20N10L/STP20N10LFI 数据手册 STP20N10L STP20N10LFI是低阈值功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.09欧姆，具有开关速度快、电流能力强、工作温度高等特点，可广泛应用于电磁阀、继电器驱动器、稳压器、DC-DC与DC-AC转换器、电机控制、音频放大器等领域。
ST STP20N06/STP20N06FI 数据手册 STP20N06 是 STP 生产的一款 60V 低阻抗功率 MOS 管，其典型 RDS(on) 为 0.06 欧姆，支持重复雪崩测试，最大结温 175℃。该 MOS 管主要应用于高电流、高频开关、继电器驱动、电源稳压、DC-DC 与 DC-AC 转换器、电机控制、音频放大器等应用。
ST STP200NF04/STB200NF04/STB200NF04-1 数据手册 该文档介绍了STP200NF04和STB200NF04 MOSFET的特点和特性，包括低导通电阻、高包装密度和可靠的avalanche特性等。
ST STP200NF03/STB200NF03/STB200NF03-1 数据手册 STMicroelectronis unique StripFET power MOSFET，具有非常高的包装密度，低阻抗，坚固的雪崩特性，制造可重复性好。
ST STP19NB20/STP19NB20FP/STB19NB20-1 数据手册 该文件介绍了STMicroelectronics设计的一种高性能功率MOSFET产品，具有低RDS(on)，高电压抗击穿和dv/dt能力，以及低门电荷和开关特性。适用于高电流、高速开关和开关电源等应用。
ST STP19N06L/STP19N06LFI 数据手册(1) STP19N06L和STP19N06LFI是N通道增强模式低阈值功率MOS晶体管，具有0.085欧姆的典型RDS(on)，采用100%的AVALANCHE测试，适用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器等应用。
ST STP19N06L/STP19N06LFI 数据手册 STP19N06和STP19N06FI是N沟道增强模式功率MOS晶体管，具有低导通电阻、高电流能力和175°C工作温度等特点。适用于高电流、高速开关、电磁阀和继电器驱动、调节器、直流-直流和直流-交流转换器、电机控制、音频放大器和汽车环境等应用。
