ST STP15N06L/STP15N06LFI 数据手册 STP15N06L STP15N06LFI 是STMicroelectronics生产的一款N沟道增强型功率MOS晶体管，其典型RDS(on)为0.115 欧姆。该晶体管适用于高电流、高速度开关、继电器驱动器、稳压器、DC-DC和DC-AC转换器、电机控制、音频放大器、汽车环境(喷射、ABS、气囊、灯驱动器等)。
ST STP15N05L/STP15N05LFI 数据手册 STP15N05L是一种N沟道增强型功率MOS管，具有低电阻、低门电荷、逻辑电平兼容输入等特点。可应用于高电流、高速开关、电机控制、音频放大器、汽车环境等领域。
ST STB150NF55/STP150NF55/STW150NF55 数据手册 该数据表格是关于STMicroelectronis的STB150NF55 STP150NF55 STW150NF55 N-CHANNEL 55V - 0.005 Ω -120A D²PAK/TO-220/TO-247 STripFET™ II POWER MOSFET的特性介绍
ST STP14NK60Z, STP14NK60ZFP, STB14NK60Z/-1, STW14NK60Z 数据手册 该文件介绍了一系列SuperMESH™ MOSFET产品的特点和特性，包括600V的工作电压、0.45Ω的RDS(on)、极高的dv/dt能力和100%经过雪崩测试等。这些产品适用于高电流、高速开关应用，特别适用于离线电源、适配器和功率因数校正器。
ST STP14NK50Z, STP14NK50ZFP, STB14NK50Z, STB14NK50Z-1, STW14NK50Z 数据手册 该文件介绍了STP14NK50Z, STP14NK50ZFP, STB14NK50Z, STB14NK50Z-1, STW14NK50Z这几个型号的N沟道MOSFET产品的特点特性，包括极低的导通电阻，极高的dv/dt能力，100%的雪崩测试，最小化的门电荷，极低的内部电容，以及很好的制造重复性。
ST STP14NF12/STP14NF12FP 数据手册 STP14NF12和STP14NF12FP是N通道MOSFET功率晶体管，具有低门电荷和输入电容，适用于高效隔离的DC-DC转换器、UPS和电机控制等应用。
ST STB14NF10/STP14NF10/STP14NF10FP 数据手册 STMicroelectronics STB14NF10 STP14NF10 STP14NF10FP N-CHANNEL 100V - 0.115 Ω - 15A TO-220/TO-220FP/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET™ II POWER MOSFET，是STMicroelectronics公司推出的一款功率MOSFET，其特点是输入电容和栅极电荷极低，适合用作电信和计算机应用的高效率、高频隔离DC-DC转换器的主开关，也适用于对栅极驱动要求低的任何应用场合。
ST STP140NF75/STP140NF75/STB140NF75-1 数据手册 STB140NF75 STP140NF75 STB140NF75-1是一种N-CHANNEL 75V - 0.0065Ω -120A D²PAK/I²PAK/TO-220 STripFET™ II POWER MOSFET。它具有低导通电阻、坚固的雪崩特性和制造可重复性高的特点。适用于高电流、高开关速度、电磁铁和继电器驱动以及汽车42V电池驱动等应用。
ST STB140NF55/STP140NF55 数据手册 STMicroelectronis的STB140NF55 STP140NF55 N-CHANNEL 55V - 0.0065 Ω - 80A TO-220/D²PAK STripFET™ II POWER MOSFET，具有极低的导通电阻（RDS(on)），具有广泛的应用场景，包括电机控制、高电流、开关应用和汽车环境。
ST STP13NK60Z/FP, STB13NK60Z, STB13NK60Z-1, STW13NK60Z 数据手册 该文件介绍了ST公司生产的一系列超级MESH功率MOSFET产品的特点和特性。这些产品具有极低的导通电阻、极高的dv/dt能力、100%的雪崩测试、最小化的门电荷和非常低的固有电容。适用于高电流、高速开关、离线电源、适配器和PFC以及照明等应用。
ST STB135N10/STP135N10 数据手册 这份文档介绍了STMicroelectronics公司开发的一种新产品的初步信息。该产品是一种N沟道功率MOSFET，具有低电阻、低门电荷和反向恢复电荷。适用于汽车、消费品、电信和工业等广泛领域的开关应用。
ST STP130NS04ZB/STB130NS04ZB/STW130NS04ZB 数据手册 STP130NS04ZB是ST公司生产的一款N沟道MOSFET，其特点是RDS(on)典型值为7mΩ，100%Avalanche测试，低电容和栅极电荷，最大结温为175°C。
ST STP12PF06 数据手册 STP12PF06 是STMicroelectronics 生产的一款N沟道电源MOS管，其最大特点是RDS(on) 低至0.18 欧姆，具有优异的dv/dt 能力，100% 雪崩测试，低栅极电荷，可应用于电机控制、DC-DC 和DC-AC 转换器等
ST STP12NM50FD/STP12NM50FDFP/STW14NM50FD/STB12NM50FD/STB12NM50FD-1 数据手册 该文件介绍了一种N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、快速开关和内置快速恢复二极管等特点。适用于桥式拓扑结构和零电压开关相位移转换器等应用。
