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该文档介绍了STP20NM50FD和STB20NM50FD-1型号的N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻、高dv/dt和雪崩能力、低输入电容和门电荷、紧密的工艺控制和高制造良率等特点。建议在桥式拓扑中使用，特别是零电压开关（ZVS）相移变换器。