Hittite HMC314 数据手册 该文档介绍了HMC314 GaAs InGaP HBT MMIC DRIVER AMPLIFIER的特点和特性。该放大器采用单正电源工作，并具有断电功能。它可用作宽带增益级，提供12dB增益和+22dBm的饱和功率。该放大器采用超小的SOT26封装。
Hittite HMC311ST89 数据手册 HMC311ST89是Hittite公司生产的一种GaAs InGaP异质结双极晶体管（HBT）增益块MMIC SMT DC到6 GHz放大器。该放大器采用业界标准的SOT89封装，可用作叠加的50欧姆增益级或驱动HMC混频器的LO，输出功率可达+16.5 dBm。HMC311ST89提供16 dB的增益和+31.5 dBm的输出IP3，同时只需要+5V电源的54 mA。所使用的达林顿反馈对可降低对正常工艺变化的敏感性，并在要求最少的外部偏置组件的情况下获得出色的温度稳定性。
Hittite HMC311LP3 数据手册 HMC311LP3是Hittite Microwave Corporation生产的一种GaAs InGaP Heterojunction Bipolar Transistor (HBT) Gain Block MMIC SMT DC to 6 GHz amplifi er。
Hittite HMC310MS8G 数据手册 HMC310MS8G是Hittite Microwave Corporation生产的一种具有功率放大器和低噪声放大器功能的无线通信收发器，它在发射模式下能提供15dB的增益和5dBm的P1dB，在接收模式下能提供13dB的增益和3dB的噪声图。它可以用于满足BLUETOOTH Class 2&3标准的2.4GHz应用，并且不需要外部电路即可激活放大器的功率下降功能。
Hittite HMC308 数据手册 HMC308是Hittite公司生产的一款低成本MESFET MMIC放大器，工作频率范围为0.8-3.8GHz，工作电压为+3V或+5V，具有18dB的增益和+20dBm的饱和输出功率。
Hittite HMC307QS16G / 307QS16GE 数据手册 HMC307QS16G / 307QS16GE 1dB LSB GaAs MMIC 5-BIT DIGITAL ATTENUATOR, DC - 4 GHz 是Hittite Microwave Corporation公司生产的一种5位数字衰减器，具有1dB LSB步进和31dB的衰减范围，精度可达±0.5dB。
Hittite HMC307QS16G 数据手册 HMC307QS16G是一款宽带5位GaAs IC数字衰减器，适用于DC至4 GHz频段。其插入损耗小于2 dB，衰减范围为1到31 dB。衰减精度为±0.5 dB，控制电压输入为0和-5V。
Hittite HMC306MS10 数据手册 HMC306MS10是一款宽频带的5位正控GaAs IC数字衰减器，适用于0.7至3.8 GHz的频段。其插入损耗通常小于1.5至2.3 dB，总衰减为15.5 dB，衰减精度为±0.25 dB。该衰减器具有小型封装和低功耗特点。
Hittite HMC304MS8 数据手册 该文件介绍了HMC304MS8 GaAs MMIC高IP3单平衡SMT混频器的特点和特性。该混频器具有高动态范围，不需要外部组件或偏置，具有30dB的LO/RF隔离度，采用超小型MSOP8封装，适用于各种高动态范围应用。
Hittite HMC300LM1 数据手册 HMC300LM1是Hittite Microwave公司生产的一款表面贴装中功率GaAs MMIC放大器，工作频率为25.5-33.5GHz，带宽大于15dB，饱和输出功率为+24dBm，工作电压为+5V至+7V。
Hittite HMC296MS8 数据手册 HMC296MS8是Hittite公司生产的一款低LO驱动的双平衡FET混频器，工作频率为1.1-1.7GHz，LO范围为+3到+11dBm，转换损耗为7dB，LO/RF隔离为40dB。
Hittite HMC292LM3C 数据手册 该文件介绍了HMC292LM3C型号的产品特点和特性，包括输入IP3、LO/RF隔离性、无需直流偏置等。适用于微波点对点无线电、多点/LMDS无线电和SATCOM等应用。
