ST HMC332 数据手册 HMC332是Hittite公司生产的一款单平衡混频器IC，集成了LO放大器，可以作为上变频器或下变频器使用，频率范围为2.0-2.8GHz。混频器的转换损耗为8dB，输入P1dB为0dBm，输入第三阶截止点为+10dBm。
Hittite HMC330 数据手册 HMC330是一款宽频带的双平衡次谐波泵动被动混频器，可作为上变频器或下变频器使用。该混频器不需要外部匹配或偏置。与HMC266相比，该设计在相同的LO驱动电平下提供更好的1dB压缩性能。HMC330具有超过38 dB的LO到RF和2LO到RF隔离性能。
Hittite HMC329LM3 数据手册(1) HMC329LM3是Hittite公司生产的一款26 - 40 GHz双平衡SMT混合器，采用SMT无引脚封装，具有优异的隔离性能，不需要外部元件和DC偏置，可作为下变频器或上变频器。
Hittite HMC329LM3 数据手册 HMC329LM3是Hittite公司生产的一款26-40GHz表面贴装的无源双平衡MMIC混频器，它可以作为下变频器或上变频器使用。该芯片不需要外部组件和直流偏置，所有数据都是在非密封的环氧封装LM3上测试得到的。利用HMC329LM3可以消除对线绑定的需要，从而为客户提供一致的连接接口。
Hittite HMC329 数据手册 HMC329是一款25-40GHz的GaAs MMIC双平衡混频器，具有无需DC偏置、输入IP3高达+19dBm、LO/RF隔离高达42dB、体积小（0.47 mm2）等特点。
Hittite HMC327MS8G 数据手册 HMC327MS8G是Hittite公司生产的一种GaAs InGaP HBT MMIC功率放大器,工作频率范围为3.0-4.0GHz,具有21dB的增益,+30dBm的饱和功率,45%的PAE,供电电压为+5.0V,支持电源关断功能,外围元件少
Hittite HMC322 数据手册 HMC322是一款宽带非反射GaAs MESFET SP8T开关芯片，覆盖DC至10.0 GHz的频率范围，具有高隔离度和低插入损耗，可扩展Hittite的SP8T开关产品线的频率覆盖。该开关还包括一个板载的二进制解码器电路，将所需的逻辑控制线减少到三根。该开关使用负控制电压0/-5V工作，需要固定偏置-5V。所有数据均通过在50欧姆测试夹具中使用0.025毫米（1毫米）直径、0.5毫米（20毫米）长的线缆进行测试。
Hittite HMC322LP4 数据手册 HMC322LP4是一种宽频段的非反射式GaAs MESFET SP8T开关，适用于DC - 8.0 GHz的50欧姆或75欧姆系统。它具有高隔离度和低插入损耗，并包含一个板载二进制解码器电路，可以通过三条逻辑控制线来控制开关。该开关使用负控制电压0/-5伏特工作，并需要一个固定偏置电压-5伏特。适用于宽带、光纤、开关滤波器组和8 GHz以下的无线应用。
Hittite HMC326MS8G 数据手册 HMC326MS8G是Hittite推出的一款高效GaAs InGaP HBT MMIC驱动放大器，工作频率为3.0-4.5GHz，具有21dB的增益和+26dBm的饱和功率。
Hittite HMC318MS8G 数据手册 HMC318MS8G是一款表面贴装低成本C频段可变增益低噪声放大器，适用于UNII和HiperLAN频段。它使用单一正电源，可设置在+3V或+5V之间。通过施加0V至+3V的控制电压，放大器的增益将减小，同时保持良好的回波损耗性能。当VCTL设置为0V时，最大增益为9 dB；当Vctl设置为+3V时，最小增益为-9 dB。
Hittite HMC316MS8 数据手册 HMC316MS8是Hittite公司生产的一款微波模块，主要特点是转换损耗低、LO/RF隔离高、输入IP3高、封装尺寸小，适用于蜂窝基站、有线调制解调器和固定无线接入系统等应用。
Hittite HMC315 数据手册 该文件介绍了Microwave Corporation的HMC315 GaAs InGaP HBT MMIC DARLINGTON放大器，该放大器具有超宽带宽、单一正电源供电、15 dB的增益和+17 dBm的饱和功率等特点。
