Hittite HMC361 数据手册 HMC361是Hittite公司生产的一款低噪声除频器，它采用InGaP GaAs HBT技术，具有0.686 mm x 1.143 mm的小型尺寸。该器件工作频率范围为DC至11 GHz，并采用单 +5.0V DC供电。它的低SSB相噪为-148 dBc/Hz，可在100 kHz偏移下帮助用户保持良好的系统噪声性能。
Hittite HMC361S8G 数据手册 HMC361S8G是一款低噪声的静态除2分频器，采用InGaP GaAs HBT技术，适用于DC至10 GHz频率范围。具有超低的SSB相位噪声，宽带输出功率和单一+5.0V DC供电等特点。
Hittite HMC362 数据手册 HMC362是Hittite Microwave Corporation的一款低噪声的Divide-by-4 Static Divider，采用InGaP GaAs HBT技术，尺寸小，仅为0.686 mm x 1.295 mm，工作频率范围为DC-11.0 GHz，供电电压为+5.0V DC，输出功率为-6 dBm。该器件具有超低的SSB相噪-149 dBc/Hz，广泛应用于卫星通信系统、光纤通信系统、Pt-Pt和Pt-MPt无线电系统、VSAT等应用场景。
Hittite HMC351S8 数据手册 HMC351S8是Hittite公司生产的一款双平衡式混频器，工作频率为0.7-1.2GHz，最大输入功率为+25dBm，具有9dB的转换损耗和42dB的LO/RF隔离。
Hittite HMC350MS8 数据手册 HMC350MS8是一款高IP3单平衡混频器，适用于0.6-1.2GHz频段。该混频器采用GaAs MMIC技术，具有8.0 dB的转换损耗，+27 dBm的输入IP3，+45 dBm的输入IP2和+17 dBm的输入P1dB。它可以作为上变频器、下变频器或调制器使用，适用于手机基站、有线调制解调器和固定无线接入系统等应用。
Hittite HMC349LP4C 数据手册 HMC349LP4C是Hittite公司生产的一款高隔离非反射开关，工作频率范围为DC-4GHz，特点包括：高隔离（67dB@1GHz，62dB@2GHz），单正电压控制（0/+5V），高输入IP3（+52dBm），非反射设计，全关状态，16mm2的无引脚QFN表面贴装封装。该开关非常适合用于基站基础设施、MMDS和3.5GHz WLL、CATV/CMTS、测试仪器等应用。
Hittite HMC348LP3 数据手册 HMC348LP3是一款非反射式GaAs MESFET SPDT开关，适用于CATV应用。它具有高隔离度、低插入损耗、集成的75 Ohm终端和“全关断”状态。该开关在5 MHz处具有大于80 dB的隔离度，在1 GHz处具有大于55 dB的隔离度。该开关使用+5/0V的互补正控制电压逻辑线工作，并需要+5V的偏置供应（Vdd）。该开关在50 Ohm和75 Ohm系统中都具有出色的性能，可用于SPDT或SPST功能。
Hittite HMC347LP3 数据手册 HMC347LP3是Hittite公司推出的一款高隔离、低插损的GaAs MMIC SPDT开关，工作频率范围为DC-14GHz。开关采用QFN封装，体积小巧。开关采用互补负电压逻辑线-5/0V控制，不需要偏置电源。
Hittite HMC347G8 数据手册 HMC347G8是Hittite Microwave Corporation的一种SPDT开关，工作频率范围为DC-8.0GHz，具有42dB的隔离度和2.2dB的插入损耗。
Hittite HMC347C8 数据手册 HMC347C8是Hittite公司生产的一种GaAs MMIC SMT HIGH ISOLATION SPDT SWITCH，该开关的频率覆盖范围是DC到8.0GHz，具有>50dB的隔离度和2.0dB的插入损耗。
Hittite HMC346MS8G 数据手册 该文档介绍了HMC346MS8G型号的GaAs MMIC SMT电压可变衰减器的特点和特性，包括宽带宽、低相移、32dB的衰减范围等。该产品适用于DC-8 GHz的应用，如点对点无线电和VSAT无线电。
Hittite HMC346LP3 数据手册 HMC346LP3是Hittite公司生产的一款电压可变衰减器，工作频率范围为DC-14GHz，具有30dB的衰减范围，低相位偏移，简化的电压控制，适用于基站基础设施、光纤和宽带电信、微波无线电和VSAT、军用无线电、雷达和ECM以及测试仪器等领域。
Hittite HMC346LC3B 数据手册 HMC346LC3B是Hittite公司生产的一款30dB的吸收式电压可变衰减器(VVA)，工作频率范围为DC至18GHz，符合RoHS标准，采用3x3mm的SMT封装。该器件具有内置参考衰减器，可与外部运算放大器配合，提供简单的单电压衰减控制，电压范围为0至-3V。该器件非常适合于在电压控制信号必须控制RF信号幅度范围为30dB的设计中使用。
