该文件描述了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），注册w /奇偶校验，2Rx8，ECC内存模块，基于十八个256M x 8位DDR3-1333 FBGA组件。SPD已编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序9-9-9，电压为1.5V。这款240针DIMM使用金接触指。电气和机械规格如下：
该文档描述了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，通过Intel®兼容性测试，注册带奇偶校验，1Rx4 ECC内存模块，基于十八个512M x 4位DDR3L-1333 FBGA组件。该DIMM采用金触点。其电气和机械规格如下：
该文件描述了金士顿的512M x 64位（4GB）DDR3-1333 CL7 SDRAM（同步DRAM）内存模块的特点特性，基于十六个256M x 8位FBGA组件。该模块经过测试，以1.65V的低延迟时间7-7-7-20以DDR3-1333运行。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时间9-9-9。该240针DIMM使用金接触指。JEDEC的电气和机械规格如下：
本文档介绍了ValueRAM的512M x 72位（4GB）DDR3L-1333 CL9 SDRAM（同步DRAM），低电压，注册带奇偶校验，2Rx8，ECC，VLP（超低型）内存模块。该模块基于十八个256M x 8位DDR3L-1333 FBGA元件。SPD编程为JEDEC标准延迟DDR3-1333时序为9-9-9，电压为1.5V。该240针DIMM接口使用金触点。
