Microsemi 2N7372 - PNP, 2N7373 - NPN 数据手册 2N7372是PNP型号，2N7373是NPN型号，2N7372和2N7373是互补型功率晶体管，采用绝缘的TO-254AA封装，具有高可靠性、高频率、快速开关等特点
Microsemi LAWRENCE 2N7370 数据手册 2N7370 JAN系列是高功率硅晶体管，具有最大集电极-发射极电压100Vdc、最大集电极-发射极击穿电压100Vdc、最大发射极-基极电压5.0Vdc、最大基极电流0.2Adc、最大集电极电流12Adc、最大总功耗100W，工作温度范围-65至+175℃。
Microsemi LAWRENCE 2N7369 数据手册 该文件介绍了一种PNP高功率硅晶体管，符合MIL-PRF-19500/621标准，具有80V的集电极-发射极电压，80V的集电极-基极电压，7.0V的发射极-基极电压，4.0A的基极电流，10A的集电极电流，115W的最大功率耗散等特性。
Microsemi 1N3016B thru 1N3051B Data Sheet 1N3016B-1N3051B 1瓦金属外壳齐纳二极管是1N3016到1N3051 JEDEC注册的金属外壳DO-13封装中经过良好验证的齐纳二极管系列，提供6.8至200伏的玻璃密封
Microsemi SMCGLCE6.5 Data Sheet SMCGLCE6.5, SMCGLCE170A, SMCJLCE6.5, SMCJLCE170A 是 Microsemi 的 1500 瓦低电容表面贴装瞬态电压抑制器，具有低电容、低阻抗、高峰值电流和快速响应时间等特点，适用于保护高频应用、电磁开关环境或涉及 IEC61000-4-5 二次雷电效应的电气系统，以及 RTCA/DO-160D 或 ARINC 429 中使用的航空电子设备
