Microsemi - 第5页

Microsemi ISO 9001 CERTIFIED

该数据手册详细介绍了CHF1.5KE6.8至CHF1.5KE400CA系列的特点和特性，该系列产品为饼干封装的TVS二极管，具有最大正向压降6.8V至400V，最大反向击穿电压400V，最大非重复峰值功率1500W，反向恢复时间1X10-12，正向恢复时间1X10-9，总连续功率耗散2.5W，重量为0.3克。

Microsemi LX7201-xx Data Sheet

LX7201是一个集成的USB线路终结器设备，带有EMI滤波器和ESD保护二极管。该设备提供一种成本效益高且紧凑的解决方案，用于一个USB下游端口。USB规范要求在D+和D-线路上都使用线终结电阻器。这些电阻器通过将电缆阻抗与差分驱动器的阻抗匹配来确保信号完整性。15KΩ下拉电阻器将该线识别为下游连接。47 pF电容器完成高频滤波器，并控制USB信号的边缘速率。LX7201保护D+和D-数据线以及电压总线免受ESD的影响。TVS保护二极管满足IEC61000-4-2，第4级，15kV（空气放电）和8kV（接触放电）的要求。LX7201的集成配置可最大限度地减少板空间，并允许在连接器附近理想地放置。LX7201非常适合用于USB集线器、外围设备和便携式设备。

microsemi HIGH VOLTAGE PIN DIODES GC4400 series

GC4400系列是高压、大功率（阴极基）PIN二极管。这些高电阻硅器件经过二氧化硅钝化，具有高稳定性和可靠性，已在高可靠性系统中经过数千个设备小时的验证。每种器件可以承受从-65°到+200°C的存储温度，并在-55°到+150°C的范围内工作。所有器件都符合或超过MIL-S-19500军用环境规范。GC4400系列通常在正向偏置+50 mA下工作。可提供高达1000伏的击穿电压。

Microsemi 1N5985 thru 1N6031-1 DO-35 Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes 数据手册

该文件提供了1N5985至1N6031系列的0.5瓦特Zener稳压器的规格，包括电压、封装、额定功率、应用、特点等信息。

Microsemi Axial-Leaded 500 mW Zener Diodes 1N5985 thru 1N6031-1 DO-35 数据手册

1N5985至1N6031系列0.5瓦稳压二极管提供从2.4到200伏的选择，在标准5%或10%的容差范围内，以及不同后缀字母标识的更严格的容差。这些玻璃轴向引线DO-35稳压二极管还可以通过添加前缀标识符在各种军用筛选级别上提供，如功能部分所述。Microsemi还提供许多其他稳压二极管产品，以满足更高和更低功率应用。

Microsemi 1N5913B thru 1N5956B

1N5913是英飞凌公司生产的硅二极管，单向导通，额定功率0.2W，额定电流1A，额定电压50V，反向击穿电压100V。

Microsemi 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A 10 WATT ZENER DIODES

10 瓦 Zener 二极管提供从 3.9 V 到 200 V 的宽电压范围的稳压，可用于各种应用，包括电源、电路保护等。这些高功率 Zener 二极管通过 JEDEC 注册，并提供标准和反极性。

Microsemi M*5283 thru M*5314 and C+5283 thru C+5314 数据手册

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Microsemi MLL5221 thru MLL5281

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Microsemi DO-35 Glass Package Silicon Rectifier Diodes Use Advantages

该产品是一款600mWatts功耗的DO-35玻璃封装的硅整流二极管，工作温度范围为-65到175oC，具有高冲击电流能力，可用于军工和航空航天等恶劣环境

Microsemi 1N6267 thru 1N6303A, 1.5KE6.8 thru 1.5KE400A

1N6267-1N6303A 1.5KE6.8-1.5KE400A 是Microsemi的TVS系列，提供了从6.8V到400V的各种电压范围，并且可以防护直流、交流和脉冲浪涌。

Microsemi TGL41-6.8 thru TG41-200CA Data Sheet

这款TGL41系列500瓦瞬态电压抑制器（TVS）提供业界最高水平的峰值脉冲功率（PPP）

Microsemi SML 5.0 thru 170.0 Volts Data Sheet

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Microsemi 2N3498 Data Sheet

2N3498是NPN硅晶体管，其最大集电极-发射极电压为100伏特，最大集电极-基极电压为100伏特，最大发射极-基极电压为6伏特，最大集电流为500毫安，最大总功耗为1瓦。其封装形式为TO-5和TO-39。

Microsemi 1N4099 thru 1N4135, 1N4614 thru 1N4627 DO-35 数据手册

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