Microsemi - 第9页

Microsemi 1N5333B thru 1N5388B Data sheet

该文档介绍了Microsemi Scottsdale Division生产的1N5333B至1N5388B系列硅5瓦Zener二极管的特点和特性。这些二极管可提供从3.3到200伏的电压调节，具有不同的公差范围。它们具有较低的热阻设计，可在适当的散热条件下以较高的最大直流电流运行。

Microsemi 1N4460 thru 1N4496 and 1N6485 thru 1N6491

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Microsemi 1N3305 Data Sheet

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Microsemi silicon power rectifier assemblies plate heatsink

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Microsemi JHV36 Series 数据手册

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Microsemi 2N4440 Data Sheet

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Microsemi Corp 1N5063-1N5117, MZ806-MZ890, MZ210-MZ240 数据手册

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Microsemi 1N6469US thru 1N6476US Data Sheet

该数据表格介绍了1N6469US至1N6476US型号的空腔密封表面贴装单向瞬态电压抑制器的特性，该型号的额定功率为1500W，工作峰值“截止”电压范围为5.0至51.6伏特。

Microsemi 1N2970 thru 1N3015B and 1N3993 thru 1N4000A Data Sheet

这份文件介绍了Microsemi公司生产的10瓦特Zener二极管的特点和特性。这些二极管能够在3.9V到200V的范围内提供电压调节。它们具有低热阻，可以承受高达10瓦特的功率。此外，这些二极管还具有军用资格认证，并提供多种其他功率应用的Zener产品。

Microsemi 1N4565AUR-1 thru 1N4584AUR-1 and CDLL4565 thru CDLL4584A

这是一款1N4565AUR-1型号的二极管，主要特点是温度补偿二极管参考二极管，无引脚封装用于表面贴装，低电流工作范围为0.5至4.0毫安，金属连接，双插头结构

Microsemi 1N821UR thru 1N829AUR-1 Data Sheet(1)

该文件介绍了1N821UR到1N829AUR-1系列的温度补偿表面贴装Zener参考二极管。这些参考二极管提供了6.2V和6.55V的标称电压，并具有最低为0.0005%/oC的温度系数，以在7.5mA工作时实现温度下电压变化的最小化。这些玻璃表面贴装DO-213AA（MELF）参考二极管可选择添加“-1”后缀以获得内部金属结合。此类结合Zener封装构造也可在JAN、JANTX和JANTXV军事资格中获得。Microsemi还提供多种其他Zener参考二极管产品，适用于多种其他电压高达200V。

Microsemi 2N2218 2N2218A 2N2218AL 2N2219 2N2219A 2N2219AL JAN JANTX JANTXV NPN SWITCHING SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/251

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Microsemi 1N746 thru 1N759A, -1 and 1N4370 thru 1N4372A, -1 DO-35 Data Sheet

本文介绍了Microsemi Scottsdale Division生产的Silicon 500 mW Zener Diodes产品系列的特点和应用。该产品系列包括1N746至1N759A和1N4370至1N4372A型号，可在广泛的工作电流和温度范围内稳定电压。具有多种不同的规格和认证选项。

Microsemi PNP LOW POWER SILICON TRANSISTOR Qualified per MIL-PRF-19500/485 Devices Qualified Level 2N5415 2N5415S 2N5416 2N5416S JAN JANTX JANTXV

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Microsemi 1N3821 thru 1N3830A Data Sheet

该文件介绍了1瓦特金属外壳稳压二极管系列的特点和特性，适用于3.3至7.5伏的低电压选择，适用于高可靠性应用，并提供了多种型号和军规资格。