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lnfineon BFS483 数据手册(1)

该文件介绍了BFS483型号的NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于低噪声、高增益的宽频带放大器。它具有8 GHz的fT和1.2 dB的增益，在900 MHz时。该晶体管采用了两个（电镀）内部隔离的晶体管封装。

BFS482是低噪声、高增益的宽带放大器，集成了两种（隔离）内部晶体管，适用于0.2 mA至20 mA的集电极电流。

BFS481是一款NPN硅射频晶体管，适用于从0.5 mA到12 mA的低噪声、高增益宽带放大器。

BFS480是一款NPN硅射频晶体管，适用于移动通信系统中的低噪声、低功耗放大器，如寻呼机和无绳电话。其特点是在集电极电流从0.2mA到8mA范围内工作，fT为7GHz，900MHz时的增益为1.5dB。该产品包含两个内部隔离的晶体管。

BFS466L6是一款双NPN硅射频晶体管，适用于低压/低电流应用。它是VCO模块和低噪声放大器的理想选择。

BFS460L6是双NPN硅射频晶体管，具有高fT 22GHz、适用于低电压/低电流应用、理想的VCO模块和低噪声放大器、低噪声系数1.1dB@1.8GHz、世界最小的SMD 6针无引脚封装、优异的ESD性能，内部集成2个晶体管（TR1、TR2：裸片为BFR460L3）

BFS380L6是一款NPN硅射频晶体管，具有高电流能力和低噪声系数，适用于宽动态范围应用。该晶体管工作电压低，非常适合3.5 GHz以下的低相位噪声振荡器。

BFS17W是NPN硅射频晶体管，用于1GHz带宽放大器，集电极电流为1mA到20mA

BFS17S是NPN硅射频晶体管，用于1GHz频段的广播放大器，集电极电流为1mA至20mA

BFS17P 是一个NPN硅射频晶体管，适用于高达1GHz的宽带放大器，集电极电流从1mA到20mA。

BAT14-03W 是DBS混合器应用的低噪声和低门限型硅肖特基二极管,最大反向电压为4V,最大工作温度为150°C。

该文档介绍了BF998型号的硅N通道MOSFET四极管的特点和特性。它是一种短通道晶体管，具有高的S/C质量因数，适用于低噪声、增益可控的1 GHz输入级别。需要注意的是，它是一种静电放电敏感器件，需要遵守处理预防措施。

BGA427是SIEGET的一种Si-MMIC-Amplifier，具有50欧姆增益块、无条件稳定、2 V至5 V典型电压、25 mA电流、1.8 GHz时18.5 dB增益、1.8 GHz时35 dB反向隔离、150 mW总功耗和120 °C结温等特点。

BUZ 73AL 是英飞凌公司生产的一款N沟道增强型电压可调功率晶体管，最大耐压200V，最大电流5.5A，典型导通电阻0.6Ω，封装为TO-220AB。

BUZ344是N沟道增强型冲击评级功率晶体管，其最大持续电流为50A，最大关断电阻为0.035欧姆。