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lnfineon SPP11N80C3 SPA11N80C3说明书

SPP11N80C3, SPA11N80C3 是一款新型高压技术的电源晶体管，具有极低的导通电阻、极低的门电荷、周期性雪崩额定、极高的dv/dt额定、极低的有效电容和改进的传导率。

lnfineon SPP11N80C3 SPA11N80C3 说明书

SPP11N80C3 SPA11N80C3 是一款功率晶体管,其特点是具有新颖的革命性高压技术,超低门极电荷,周期性雪崩额定值,极端dv/dt额定值,超低有效电容和改进的传导率

lnfineon TDA 16888 说明书

该文件介绍了一款名为TDA 16888的高性能电源组合控制器的技术资料，包括PFC（功率因数校正）部分和PWM（脉宽调制）部分的特点和特性。其中PFC部分符合IEC 1000-3标准，具有辅助电源供应的额外操作模式，快速、软开关的门极驱动，双环控制，前沿触发的脉宽调制，峰值电流限制，可采用提升或飞挡拓扑结构的PFC前置转换器，可连续或不连续工作模式。PWM部分具有改进的电流模式控制，快速、软开关的门极驱动，软启动管理，尾沿触发的脉宽调制，采用前馈或飞挡拓扑结构的PWM变换器，最大占空比为50%以防止变压器饱和，可外部同步。此外，该产品具有高功率因数、低启动供电电流、低静态电流、欠压锁定、内部待机操作、内部同步固定工作频率范围、外部同步、外部触发关闭两个输出、峰值电流限制、过压保护、通过噪声滤波实现平均电流感测等特点。

lnfineon BFP740F 说明书

BFP740F是一款高增益、超低噪声的射频晶体管，适用于广泛的无线应用，特别适用于CDMA和WLAN应用。它在1.8 GHz时具有0.5 dB的噪声指标，而在6 GHz时具有0.75 dB的噪声指标。此外，它还具有高稳定增益和高可靠性的特点。

lnfineon BFP740F 说明书

BFP740F 是鼎好半导体旗下的一款硅锗射频晶体管，具有高增益、超低噪声的特点，适用于 10GHz 及以上频段的无线通信应用，例如 CDMA 和 WLAN。

lnfineon BFP740 说明书(1)

BFP740是鼎好供应的一款NPN硅锗射频晶体管，其具有高增益、超低噪声等特点，适用于1.8GHz至10GHz范围的各种无线应用，如CDMA和WLAN应用。

lnfineon BFP740 说明书(1)(1)

BFP740是鼎好电子元件有限公司生产的一款射频晶体管，采用硅锗技术，具有高增益、低噪声的特点，非常适合于CDMA和WLAN等无线通信应用

lnfineon BFP650 说明书

BFP650是鼎好电子的一款NPN硅锗射频晶体管，用于高功率放大器和低相位噪声振荡器，最大增益为21dB，1.8GHz噪声因子为0.9dB，采用金属化工艺，可靠性高，fT为70GHz。

lnfineon BFP650 说明书

BFP650是一款NPN硅锗RF晶体管，主要应用于高功率放大器和低相位噪声振荡器，最大增益为21 dB，噪声系数为0.9 dB，封装形式为SOT343。

lnfineon BFP540ESD 说明书

BFP540ESD是鼎好在售的一款NPN硅射频晶体管，具有出色的ESD性能，典型值为1000V（HBM），卓越的Gms = 21.5 dB噪声图F = 0.9 dB，金属化保证了产品的高可靠性。

lnfineon BFP540 说明书

该文件介绍了BFP540型号的NPN硅射频晶体管的特点和特性，适用于1.8 GHz的最高增益低噪声放大器，具有出色的Gms = 21 dB噪声系数F = 0.9 dB。金属化设计提供了高可靠性。

lnfineon BFP540 说明书

BFP540是鼎好电子的一款NPN硅射频晶体管，它具有最高的增益和最低的噪声，可以用于1.8GHz的高增益低噪声放大器。这款晶体管采用金属化，可提供高可靠性。

lnfineon BFP520F 说明书(1)

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lnfineon BFP520F 说明书(1)(1)

BFP520F是SIEGET公司生产的一款NPN硅射频晶体管，该晶体管具有最高增益、低噪声、高可靠性的特点，适用于1.8GHz和2mA/2V的射频低噪声放大器，也适用于15GHz以下的振荡器。

lnfineon BFP520 说明书(1)

BFP520 NPN硅射频晶体管，具有最高增益低噪声放大器特性，在1.8GHz和2mA/2V时， Gms=23dB，噪声系数F=0.95dB，可用于高达15GHz的振荡器，过渡频率fT=45GHz，采用金属化工艺，具有较高的可靠性