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GSI TECHNOLOGY GS88018/32/36AT-250/225/200/166/150/133 512K x 18, 256K x 32, 256K x 36 9Mb Sync Burst SRAMs

GS88018/32/36AT是一款9Mb同步突发SRAM，具有高性能和可配置的特点。

GSI TECHNOLOGY GS70328SJ/TS 32K x 8 256Kb Asynchronous SRAM

GS70328是一种高速CMOS静态RAM，采用32,763个字节和8位组织。静态设计消除了对外部时钟或时间触发器的需求。GS70328采用单一的3.3V电源，并且所有输入和输出都与TTL兼容。GS70328提供300 mil的28引脚SOJ和8 x 13.4 mm2的28引脚TSOP Type-I封装。

GSI TECHNOLOGY GS82032AT/Q-180/166/133/100 64K x 32 2M Synchronous Burst SRAM

该文档介绍了Giga Semiconductor, Inc.生产的GS82032AT/Q-180/166/133/100 64K x 32 2M同步突发SRAM的特点和特性。

GSI TECHNOLOGY GS8320E18/32/36T-250/225/200/166/150/133 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs

GS8320E18/32/36T-250/225/200/166/150/133是GSI Technology公司生产的一款2M x 18、1M x 32、1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs，工作频率为250 MHz–133 MHz，电源电压为2.5 V或3.3 V VDD，I/O电压为2.5 V或3.3 V，封装形式为100-Pin TQFP，支持商用温度和工业温度。

GSI TECHNOLOGY GS8322Z18(B/E)/GS8322Z36(B/E)/GS8322Z72(C) 数据手册

GS8322Z18/36/72是GSI公司生产的一款36Mbit同步静态SRAM，它具有NBT（NoBusTurnAround，无总线掉头）功能，可实现零延迟读写读总线利用率，并且与管线化读/双迟写或流通读/单迟写的NtRAM、NoBL或其他SRAM完全兼容。

GSI TECHNOLOGY GS832218(B/E)/GS832236(B/E)/GS832272(C) 数据手册

GS832218/36/72是一种高性能同步SRAM，具有2位突发地址计数器。该设备最初用于支持高性能CPU的二级缓存应用，现在也适用于从DSP主存储器到网络芯片组支持的同步SRAM应用。它具有多种特性，如用户可配置的流水线操作、单/双周期取消选择、支持IEEE 1149.1 JTAG兼容边界扫描等。

GSI TECHNOLOGY GS88237AB-250/225/200/166/150/133 256K x 36 9Mb Synchronous Burst SRAMs

GS88237AB是一种9Mb同步突发SRAM，具有高性能和低功耗的特点。它支持单/双周期取消选择，具有IEEE 1149.1 JTAG兼容的边界扫描功能。该产品适用于高性能CPU的二级缓存应用以及DSP主存和网络芯片组支持等同步SRAM应用。

GSI THCHNOLOGY GS72116TP/J/T/U 数据手册

该文档介绍了6169型UPS的特点特性。6169型UPS具有高功率密度、低输入功耗、低输出功耗、全开关高频PFC、高效率等特点。6169型UPS可应用于电脑、服务器、网络设备等场景。

GSI TECHNOLOGY GS88237BB/D-xxxV 256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM

GS88237BB/D-xxxV是GSI Technology公司生产的一款256K x 36 9Mb SCD/DCD Sync Burst SRAM，工作电压为1.8 V或2.5 V，支持JEDEC-standard 119-bump和165-bump BGA packages。

GSI TECHNOLOGY GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D) 数据手册

该文件介绍了GS881Z18B(T/D)/GS881Z32B(T/D)/GS881Z36B(T/D) 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM的特点和特性，包括可配置的Pipeline和Flow Through模式、NBT功能、与其他SRAM兼容、JTAG兼容、写入奇偶校验、供电和接口选项等。

GSI TECHNOLOGY GS74104TP/J 数据手册

GS74104是一款1M x 4 4Mb Asynchronous SRAM，具有8, 10, 12, 15 ns的快速访问时间、150/125/110/90 mA的低功耗、单3.3 V ± 0.3 V电源供应、TTL兼容的所有输入和输出、完全静态操作，以及-40°到85°C的工业温度选项。

GSI 36Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAMs 250 MHz–133 MHz 2.5 V or 3.3 V VDD 2.5 V or 3.3 V I/O 数据手册

GS8320Z18/36T是一种36Mbit的同步静态SRAM。它具有NBT功能，可以实现零等待的读-写-读总线利用率；与流水线和流通NtRAM™、NoBL™和ZBT™ SRAM完全兼容；可配置的Pipeline和Flow Through模式；用于线性或交错突发模式的LBO引脚；与2Mb、4Mb、8Mb和16Mb设备兼容；字节写入操作；3个片选信号方便深度扩展；自动断电的ZZ引脚；符合JEDEC标准的100引脚TQFP封装。

GSI 2M x 18, 1M x 32, 1M x 36 36Mb Sync Burst SRAMs 250 MHz–133 MHz 2.5 V or 3.3 V VDD 2.5 V or 3.3 V I/O 数据手册

GS832018/32/36T-250/225/200/166/150/133是GSI Technology生产的一款高性能同步SRAM芯片，支持2.5V或3.3V的VDD电压，支持2.5V或3.3V的I/O电压，支持100-Pin TQFP封装。

GSI GS816118/32/36D Supplemental Datasheet Information 数据手册

这份数据表提供了GS816118/32/36D的额外信息，包括新的165-bump BGA封装和x32的组织

GSI TECHNOLOGY GS882ZV18/36BB/D-333/300/250/200 9Mb Pipelined and Flow Through Synchronous NBT SRAM

该产品是一款9Mb的同步静态SRAM。GSI的NBT SRAMs，如ZBT、NtRAM、NoBL或其他流水线读/双延迟写或流水线读/单延迟写SRAM，允许利用所有可用片选信号，从而实现零等待读-写-读总线利用率。该产品采用1.8V VDD和1.8V I/O，具有用户可配置的管道和流穿模式、ZQ模式引脚、IEEE 1149.1 JTAG兼容边界扫描、片上奇偶校验编码和错误检测、LBO引脚用于线性或交错突发模式、与2M、4M和18M器件引脚兼容、字节写操作(9位字节)、3个片选信号，便于深度扩展、ZZ引脚用于自动关断、JEDEC标准119凸点BGA和165凸点FPBGA封装、铅封119凸点和165凸点BGA封装可用。